王新胜
,
杨天鹏
,
刘维峰
,
徐艺滨
,
梁红伟
,
常玉春
,
杜国同
材料导报
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体,具有很多优异的的光电性能.但一般制备出的ZnO薄膜材料均是n型,很难实现p型的掺杂.ZnO的p型掺杂是实现其光电器件应用的关键技术,也是目前ZnO研究的关键课题.目前在p型ZnO的掺杂理论和实验方面都有很大的进展,对此进行了详细的分析与论述,并且展望了p型ZnO薄膜制备的前景.
关键词:
ZnO薄膜
,
p型掺杂
,
第一性原理
,
MOCVD
,
MBE
常玉春
,
罗海林
,
王玉琦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.034
提出了一种具有穿通基区的Si双极晶体管光探测器.通过优化器件结构参数,使基区在工作时完全耗尽,从而得到大的光增益和小的噪声电流.实验测光电转换增益大于150,000;器件具有良好的噪声特性,噪声功率与器件的直流偏置电流成正比,即(in2)=2qIcΔf.
关键词:
光电晶体管
,
光探测器
,
穿通基区
,
噪声
,
双极晶体管
