刘志勇
,
黎文峰
,
张娜
,
杨枫
,
宋桂林
,
安义鹏
,
张卉
,
常方高
稀有金属材料与工程
采用轧制辅助双轴织构技术(RABiTS)制备了无磁性强立方织构的Cu60Ni40合金基带.对Cu60Ni40合金基带冷轧及再结晶退火后的织构进行分析.结果表明:轧制总变形量及再结晶退火工艺是影响Cu60Ni40合金基带再结晶晶粒取向的主要因素.经过大变形量冷轧,Cu60Ni40合金基带表面可以得到典型的铜型轧制织构.通过优化的冷轧及两步再结晶退火工艺获得了立方织构含量高达99.7％(≤l0°)、小角度晶界含量高达95.1％的Cu60Ni40合金基带,∑3孪晶界含量为0.1％.
关键词:
铜镍合金基带
,
轧制辅助双轴织构技术
,
立方织构
,
晶界
刘志勇
,
张娜
,
宋桂林
,
杨枫
,
安义鹏
,
黎文峰
,
常方高
稀有金属材料与工程
采用放电等离子体烧结的方法制备了外层为Cu60Ni40合金,芯层为Ni9W合金的Cu基复合坯锭,结合传统的RABiTS路线成功获得了无铁磁性、高强度、强立方织构的Cu60Ni40-Ni9W-Cu60Ni40复合基带.利用EBSD技术对复合基带轧制织构及再结晶退火后的微取向特征进行了分析表征.测试结果表明:大变形量冷轧后复合基带表面形成了典型的铜型轧制织构,在截面方向上织构呈现梯度分布的特征,在再结晶退火后该复合基带表面立方织构含量达到了97.6％(＜10°),并发现,在再结晶过程中立方织构优先在外层材料中形核、长大,并逐渐吞并周围的非立方晶粒.对其力学性能表征发现:该复合基带在室温下的屈服强度为170 MPa,达到了商业化Ni5W合金基带的水平.
关键词:
Cu60Ni40-Ni9W-Cu60Ni40复合基带
,
RABiTS路线
,
立方织构
葛永霞
,
常方高
,
李涛
,
路庆凤
,
李喜贵
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.099
本文利用正电子湮没技术(PAT)对不同密度的MgB2样品分别进行了测定,结果发现正电子在MgB2中自由态的湮没时间(本征寿命τ1)和在捕获态的湮没时间(缺陷寿命τ2)比其他高温超导体都明显要高,这反映了MgB2的体电子浓度相对于其它超导体要低,可能归因于MgB2超导材料本身的晶体结构和化学组成,MgB2超导材料的正电子寿命不仅与晶体的结构缺陷,而且与样品的密度或孔隙度有关.
关键词:
MgB2超导体
,
正电子湮没
,
结构缺陷
常方高
,
刘越奇
,
于伏娟
,
宋桂林
功能材料
将高温超导陶瓷YBa2Cu3O6+x经过真空热处理得到氧含量x=0.13的缺氧陶瓷样品,利用HP4294A精密阻抗分析仪测量了样品介电常数温谱图,在温度为410K附近发现了介电异常现象,认为是由反铁磁相变感应铁电相变引起的.铁电测量表明缺氧YBCO多晶陶瓷在室温下有一定的铁电性.在零磁场和外加磁场条件下,采用标准四引线法分别测量了样品电阻率随温度的变化关系,发现温度低于400K时样品的磁电阻MR约为60%且基本不随温度变化,在反铁磁相变温度410K附近出现异常,认为是由于样品大量本征载流子产生并且外加磁场对顺磁区域影响较小所致.缺氧YBCO(x=0.13)陶瓷样品的磁电耦合特性,显示出它可能成为一种新的室温多铁材料从而在传感、控制和信息储存等方面发挥重要作用.
关键词:
氧含量
,
介电异常
,
铁电
,
磁电耦合
杨海刚
,
宋桂林
,
张基东
,
王天兴
,
常方高
人工晶体学报
采用直流反应磁控溅射方法制备了纳米WO3薄膜,研究了溅射气压对WO3薄膜的表面形貌和微结构的影响.利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对WO3的微结构进行了表征.采用紫外-可见分光光度计和循环伏安测试系统对样品的电致变色及响应时间性能进行了研究.结果表明,纳米WO3薄膜的微孔结构特征具有较大的比表面积,有利于改善其电致变色性能.当溅射气压为4Pa时,WO3薄膜在可见光区的电致变色平均调色范围达到了71.6％,并且其着色响应时间为5 s,漂白响应时间为16 s.
关键词:
WO3薄膜
,
磁控溅射
,
电致变色
,
响应时间
宋桂林
,
马桂娟
,
张卉
,
苏健
,
陈晨
,
常方高
人工晶体学报
采用快速液相烧结法制备Bi1-xEuxFe1-yCoyO3(x=0、0.01、0.05、0.1;y=0、0.01、0.05、0.1)陶瓷样品,研究Eu、Co共掺杂对BiFeO3介电性能、铁磁性和磁电耦合效应的影响.利用X射线衍射仪对晶体结构进行表征,结果表明:所有样品的主衍射峰与纯相BiFeO3相吻合且具有良好的晶体结构.当Co掺杂量大于0.05时,Bi1-xEuxFe1-yCoyO3发生结构相变.当f=1000 Hz时,Bi0.99 Eu0.01Fe0.99 Co0.01O3样品的介电常数是BiFeO3的12倍,而介电损耗最小.磁测量表明:室温下,除了BiFeO3和Bi1-xEuxFe0,99 Co0.01O3以外,所有样品具有较强的铁磁特性.在20kOe磁场作用下,Bi1-xEuxFe1-yCoyO3样品呈现饱和的磁滞回线,Bi0.Eu01Fe0.9Co0.1O3样品的剩余磁化强度(Mr=0.984 emu/g)是BiFeO3的328倍.在外加磁场(0～0.4 kOe)作用下,样品的磁电耦合效应(ME)随着Eu3+和Co3+掺杂量的增加而增大,Bi0.95Eu0.05 Fe0.95Co0.05O3呈现较强的磁电耦合效应,在4.5 kOe磁场的作用下,其ME值已达到4.37％.样品磁性增强的主要是Eu3+的4f电子与Fe3+或Co3+的3d电子自旋相互作用及样品中存在局域的Fe-O-Co磁耦合两者共同作用的结果.
关键词:
BiFeO3
,
介电性能
,
磁滞回线
,
磁电耦合
杨海刚
,
王聪
,
宋桂林
,
王天兴
,
常方高
功能材料
采用直流反应磁控溅射方法在ITO导电玻璃上沉积了WO_3薄膜,研究了靶基距对其微结构和电致变色性能的影响,利用XRD、SEM和XPS对薄膜的微结构和成分进行了表征.通过可见光透射谱对样品的电致变色性能进行了研究,并且讨论了WO_3薄膜电致变色性能与其微结构、价态变化之间的关系.发现靶基距为7cm的情况下沉积得到的WO_3薄膜呈非晶态,薄膜有更多的孔隙,有利于Li~+的抽取,进而显示出较好的电致变色性能.反应溅射制备的WO_3薄膜中W是W~(6+)价态,颜色为透明状,当发生着色反应时,随着薄膜中Li~+成分增加,薄膜颜色变为蓝色,薄膜中W原子为W~(6+)和W~(5+)的混合价态.认为其电致变色的行为是由于Li~+和e~-在薄膜中的注入和拉出引起的W~(6+)和W~(5+)发生转化所致.
关键词:
WO_3薄膜
,
磁控溅射
,
靶基距
,
电致变色机制
常方高
,
李涛
,
葛永霞
,
袁延忠
,
荆西平
功能材料
通过固相反应法制备了掺杂0.5%(摩尔比)Gd和10%(摩尔比)Sn的BaTiO3陶瓷材料,并对样品的介电性能在不同频率、温度下进行了研究.结果表明掺杂之后材料的居里点向低温方向移动,材料的介电常数显著增加.其中同时对BaTiO3的A位掺杂0.5%的Gd,对B位掺杂10%的Sn时,其居里点降至60℃,介电常数在0.005、1、100kHz下的峰值分别达到54000、51000、45000,而对应的tgδ分别为0.053、0.066、0.092.
关键词:
掺杂
,
介电常数
,
介电损耗
,
居里点
杨海刚
,
詹华伟
,
张基东
,
曹伟伟
,
宋桂林
,
常方高
人工晶体学报
采用磁控溅射法在单层玻璃基片上制备了由多层薄膜构成的电致变色元件,通过XRD、SEM等对薄膜及元件的晶体结构、表面形貌等进行了表征分析.采用可见光透射谱,研究了元件的电致变色性能.结果表明,较低的基片温度和较大的靶基距是采用磁控溅射制备电致变色元件的两个很重要的因素.所制备的全薄膜电致变色元件在处于漂白态和着色态时,对可见光的透过率分别达到了47.19％和15.67％,对光的透射率调节范围为31.52％.该全薄膜电致变色元件在电致变色智能窗领域具有较大的应用潜力.
关键词:
电致变色元件
,
透射率调节
,
ITO
,
磁控溅射
