季振国
,
冯丹丹
,
席俊华
,
毛启楠
,
袁苑
,
郝芳
,
陈敏梅
材料科学与工程学报
结合紫外-可见光谱和高分辨XRD两种测试方法,无损、可靠地确定了AlGaN/GaN HEMT结构内各层的厚度、成分、应力等参数,解决了高分辨XRD无法同时确定成分与应力的难题.这两种方法的好处是样品不需经过特殊的处理,也不需进行切割、减薄等工艺,具有快速、无损、准确的特点,可以作为AlGaN/GaN HEMT器件的筛选工具,提高器件的成品率、降低生产成本.
关键词:
X射线衍射
,
紫外-可见反射
,
无损检测
席俊华
,
季振国
,
刘坤
,
王超
,
杜鹃
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01506
利用溶胶-凝胶法结合高温热处理在硅衬底上制备了掺Mn硅酸锌薄膜, 用XRD、SEM、UV-Vis吸收谱和PL谱测试了样品的结晶性能与光学性能, 并分析了热处理温度对掺Mn硅酸锌薄膜的结晶性能和光学性能的影响. 实验结果发现, ZnO的适量存在对掺Mn薄膜的发光有增强作用. 进一步的分析认为, 这一现象的机理可由G.G. Qin提出的量子约束-发光中心 (QCLC) 模型进行解释, ZnO中受激发的电子和空穴通过隧穿效应到达硅酸锌基体中复合发光, 从而增强发光强度.
关键词:
硅酸锌
,
ZnO
,
photoluminescence
,
quantum confinement-luminescence center
季振国
,
王君杰
,
毛启楠
,
席俊华
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00323
电阻式存储器由于具有众多的优点有望成为最有前景的下一代高速非挥发性存储器的选择之一. 实验利用射频磁控溅射法在重掺硅上沉积了Bi2O3薄膜, 并对该薄膜的结晶状态和Au/Bi2O3/n+Si/Al结构的电阻开关特性进行了研究. XRD分析结果表明, 射频磁控溅射法沉积所得的Bi2O3薄膜结晶性能好, (201)取向明显. I-V曲线测试结果表明, Au/Bi2O3/n+Si/Al结构具有单极性电阻开关特性. 通过对不同厚度Bi2O3薄膜的Au/Bi2O3/n+Si/Al结构I-V特性比较发现, 随着薄膜厚度的增加, 电阻开关的Forming、Set和Reset阈值电压均随之增加. 对于Bi2O3薄膜厚度为31.2 nm的Au/Bi2O3/n+Si/Al结构, 其Forming、Set和Reset阈值电压均低于4 V, 符合存储器低电压工作的要求.
关键词:
Bi2O3薄膜
,
resistive switching
,
thickness dependence
席俊华
,
刘永强
,
杨凌霞
,
季振国
材料科学与工程学报
设计了一种外置式电感耦合等离子增强化学气相沉积装置,并利用该装置在n型硅片上低温沉积了SiO2薄膜.通过扫描电子显微镜(SEM)、傅立叶变换红外吸收谱(FTIR)等对生长的薄膜进行表征.SEM测试结果表明,利用该装置沉积的SiO2薄膜表面平整,薄膜均匀性好；根据FTIR图中Si-O峰的横向与纵向光学声子吸收峰的分析发现,沉积功率越大,薄膜越疏松；等离子体区域内不同位置沉积的薄膜均匀,能够用于大规模、大面积的工业生产.此外,为了方便地获知SiO2薄膜的厚度,我们推导出了50W的功率下,薄膜厚度随沉积温度、沉积时间变化的经验公式.
关键词:
二氧化硅薄膜
,
电感耦合
,
等离子增强化学气相沉积
季振国
,
吴家亮
,
曹虹
,
席俊华
,
李红霞
材料科学与工程学报
利用反应脉冲激光沉积法,以金属钴为靶材,通过改变衬底温度、反应气体氧气的流量等工艺参数,先后在玻璃衬底上成功制备了CoO薄膜以及Co3O4薄膜。通过X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、紫外-可见光吸收光谱（UV-Vis）研究了沉积工艺参数对沉积薄膜的晶体结构和光学特性的影响。结果表明,当氧气流量小于15sccm时,沉积的薄膜为岩盐矿结构的CoO,而当氧气流量大于15sccm时,沉积的薄膜为尖晶石矿结构的Co3O4。通过对紫外-可见吸收光谱的数据分析,证明CoO和Co3O4薄膜均为间接能带结构,禁带宽度分别为0.82eV和1.21eV。
关键词:
脉冲激光沉积
,
钴氧化物
,
禁带宽度
,
光学性能
季振国
,
王玮丽
,
毛启楠
,
席俊华
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.02.011
本文采用直流磁控溅射法和多次沉积与掩膜技术,在n+Si(100)衬底上制备了一系列厚度不同的ZnO薄膜,表面镀Au的探针与ZnO/n+-Si构成了一系列ZnO层厚不同的Au/ZnO/n+-Si薄膜压敏电阻器.利用X射线衍射确定沉积的ZnO薄膜为高度c轴(0002)取向的晶体薄膜,利用紫外-可见透射光谱对沉积的ZnO薄膜的厚度进行了定标.分别测量了不同厚度的处Au/ZnO/n+-Si结构的I-V特性曲线,从而得到了阈值电压与ZnO薄膜厚度之间的关系.结果表明:随着ZnO薄膜厚度的增加,Au/ZnO/n+-Si压敏电阻器的阚值电压线性增大.因此,可以通过控制ZnO层的厚度精确控制压敏电阻器的阈值电压.
关键词:
ZnO薄膜
,
压敏电阻器
,
阈值电压
,
薄膜厚度
季振国
,
黄东
,
席俊华
,
柯伟青
,
周荣富
材料科学与工程学报
利用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了基于柱状ZnO薄膜的Al-ZnO-Al三明治结构的超低阈值电压的压敏电阻.XRD和SEM测试结果表明,该压敏电阻中的ZnO薄膜层为结晶性能良好,并且沿ZnO的(002)晶面择优取向生长的柱状薄膜.Ⅰ-Ⅴ测试结果表明,这种由柱状ZnO薄膜构成的压敏电阻阈值电压仅3.2 V,为现有压敏电阻中阈值电压最低的压敏电阻.
关键词:
氧化锌
,
柱状薄膜
,
压敏电阻
,
超低阈值
季振国
,
李铁强
,
席俊华
,
毛启楠
材料科学与工程学报
激光诱导击穿光谱是一种新的元素分析方法,但仍处于不断完善之中.利用它可以分析不同形态样品的成分,因此在成分分析和微量元素检测方面具有重要的应用前景.本文阐述了激光击穿诱导光谱仪的基本原理和激光诱导击穿光谱在多个领域中的应用,研究内容涉及固体样品、液体样品、气体样品、微量杂质分析和成分深度剖析等,并分析了基体效应、自吸收效应、测量时间、环境气体、激光参数等对激光诱导击穿光谱分析结果的影响.
关键词:
激光诱导击穿光谱
,
激光
,
紫外-可见光谱
,
元素检测
刘学丽
,
黄延伟
,
李向明
,
席俊华
,
季振国
功能材料
采用电子束蒸发法以普通玻璃为基板制备了重掺硅薄膜,通过SEM、EDS、透射光谱对其形貌、成分以及透射率进行了测试表征.进一步采用铝诱导低温晶化法在玻璃基板上沉积Al薄膜,对重掺硅薄膜进行铝诱导晶化.XRD测试、电学性能测试以及可见-红外光谱透射率测试结果表明,硅薄膜在温度为300℃以上出现了Si(111)的衍射峰,薄膜的导电性得到了提高,且具有较强的红外反射能力,表明在低辐射玻璃上具有一定的应用价值.同时采用电子束蒸发法制备了结构为glass/Si/Ag/Si的Ag基低辐射玻璃,通过光学性质测试和腐蚀情况观察结果表明硅薄膜具有保护低辐射薄膜的作用.
关键词:
电子束蒸发
,
重掺硅薄膜
,
低辐射玻璃
,
硅保护层
,
铝诱导低温晶化法
席俊华
,
季振国
,
刘坤
,
王超
,
杜鹃
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.06.038
利用溶胶-凝胶法结合高温热处理在硅衬底上制备了掺Mn硅酸锌薄膜,用XRD、SEM、UV-Vis吸收谱和PL谱测试了样品的结晶性能与光学性能,并分析了热处理温度对掺Mn硅酸锌薄膜的结晶性能和光学性能的影响.实验结果发现,ZnO的适量存在对掺Mn薄膜的发光有增强作用.进一步的分析认为,这一现象的机理可由G.G.Qin提出的量子约束-发光中心(QCLC)模型进行解释,ZnO中受激发的电子和空穴通过隧穿效应到达硅酸锌基体中复合发光,从而增强发光强度.
关键词:
硅酸锌
,
氧化锌
,
光致发光
,
量子约束-发光中心
