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中频反应磁控溅射制备Al2O3:Ce薄膜及其光致发光特性

廖国进 , 巴德纯 , 闻立时 , 朱振华 , 刘斯明

稀有金属材料与工程

用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3:Ce3+的非晶薄膜.XPS监测显示,薄膜中有Ce3+生成.这些薄膜的光致发光峰是在374 nm附近,它来自于Ce3+离子的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁.发光强度强烈地依赖于薄膜的掺杂浓度,但发光峰位置不随掺杂浓度而变化.Ce3+含量和薄膜的化学成分是通过X射线散射能谱(EDS)测量的.薄膜试样的晶体结构应用X射线衍射分析.俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析.发射纯蓝光的Al2O3:Ce3+非晶薄膜在平板显示等领域有着广泛的潜在应用前景.

关键词: 光致发光 , Al2O3 , 薄膜 , 磁控溅射 , 稀土元素

工艺参数对非平衡磁控溅射Ti/TiN/Ti(C,N)薄膜硬度的影响

张以忱 , 吴宇峰 , 巴德纯 , 马胜歌

钢铁研究学报

采用中频非平衡磁控溅射工艺,在316L不锈钢、高速钢和硬质合金3种基体材料上制备Ti/TiN/Ti(C,N)膜系的硬质薄膜.通过改变工作气氛、基体负偏压等工艺参数,对制备薄膜的硬度进行检测分析,结果表明:在Ti(C,N)薄膜的制备中,工作气氛和基体负偏压是影响薄膜硬度的主要因素.当工作气体的通人比例C2H2/(N2+Ar)<1/9时,薄膜硬度较高.当通入的乙炔(C2H2)流量增加时,会明显降低薄膜硬度.当基体负偏压在一定范围内增加时,薄膜硬度随之逐渐提高;当负偏压增加到200 V时,薄膜硬度最大;负偏压超过200 V,薄膜硬度明显下降.基体材料对薄膜硬度的影响较大,在不同基体材料上镀制同一种硬质薄膜时,薄膜硬度不同;3种基体材料上沉积薄膜的硬度数316L不锈钢基体上的薄膜硬度最低.

关键词: 非平衡磁控溅射 , Ti(C,N)薄膜 , 薄膜硬度 , 基体负偏压

DyAl合金薄膜在NdFeB基体上真空热扩渗行为的研究

孙宝玉 , 巴德纯 , 房也 , 杨彬 , 岳向吉 , 段永利

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2010.04.004

采用直流(Dc)磁控溅射的方法,在烧结NdFeB磁体表面制备了DyAl合金薄膜,镀膜样品经真空热扩渗(800℃x6h)和时效处理(900℃x2.5h+490℃x5h),研究了样品的微观结构组织与磁性,并对Dy、Al元素在基体中的真空热扩渗行为进行了探讨.结果表明,随着DyAl合金薄膜厚度的增加,磁体的内禀矫顽力Hcj相应提高,内禀矫顽力Hcj提高176kA/m(2.2kOe).通过对样品微观组织结构观察发现Dy和Al元素沿晶界富Nd相优先扩散,大量集中分布在主相晶粒表层和富Nd相交界处,不仅改善了晶界表面浸润性,也改变了主相晶粒表层合金成分和微结构,这种晶粒表面与晶界相的改性导致烧结NdFeB磁体的内禀矫顽力Hcj提高.

关键词: 磁控溅射 , DyAl合金 , 薄膜 , 烧结NdFeB , 真空热扩渗

掺杂浓度对Al2O3:Ce3+薄膜发光性能的影响

廖国进 , 巴德纯 , 闻立时 , 刘斯明 , 阎绍峰

功能材料

应用中频反应磁控溅射技术在载玻片上制备掺铈的Al2O3薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为43ml/min,氧流量为10ml/min,室温下溅射时间为90min的条件下,通过控制薄膜中的Ce3+离子的掺杂量来改变薄膜的发光性能.通过X光能量散射谱(EDS)和光致发光测量,得到发光强度和发光峰位对薄膜中的Ce3+浓度有强烈的依赖关系,并且分析了产生这种关系的原因;对发光激发谱分析表明,薄膜发光是源于薄膜中形成的氯化铈集合体中的Ce3+.Al2O3:Ce3+发光膜可应用于需要蓝光发射的平板显示领域.

关键词: 三氧化二铝薄膜 , 磁控溅射 , 掺杂浓度 , 光致发光 , Ce

决策树ID3算法在RH-KTB真空系统故障诊断中的应用

王庆 , 巴德纯 , 王晓冬 , 靳雨菲

钢铁研究学报

介绍了RH-KTB炉外精炼真空抽气系统的工作原理和故障特点.该系统的故障诊断应能从大量数据中快速提取征兆并及时诊断,且有一定的自学习能力.为此,采用一种以实例为基础的归纳学习算法即ID3算法进行故障诊断.ID3算法有一定的自学习、自组织能力,适用于复杂系统的智能诊断.通过讨论分析了ID3算法的特点和作用.

关键词: 决策树 , 真空 , 智能 , 故障诊断

真空退火提高薄型磁体性能的研究

孙宝玉 , 巴德纯 , 房也 , 杨彬 , 段永利

功能材料

机加工成一定尺寸和形状的烧结NdFeB薄型磁体,由于表面晶粒形变和缺陷的产生引起了磁性能的降低,适当的真空退火热处理后,其磁性能将会得到恢复和提高.通过SEM扫描电镜,X射线衍射和磁性能的测量,研究了退火热处理对磁体表面层晶粒微结构、应变、亚晶粒尺寸和磁性能的影响.结果表明,在三相共晶点温度以上,900℃×2h+490℃×5h的退火可以完全消除机加工产生的应变、应力和缺陷.其次,表面层内晶界富Nd相的毛细管作用和扩散迁移,使富Nd相均匀、连续地分布在晶粒和晶界周围.这种富Nd相网状结构,消除了机加工磁体表层内的晶界裂纹和缺陷,对磁体性能的恢复和提高起着重要的作用.

关键词: NdFeB , 薄型磁体 , 磁性能 , 真空退火 , 微组织结构 , 应变和亚晶粒

低氧速凝工艺制备RE(Nd,Pr)-Fe-B稀土永磁母合金的研究

房也 , 孙宝玉 , 巴德纯 , 娄树普

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2009.04.007

选用Nd-Pr,Fe-B合金,纯铁以及海绵锆为原料,按一定的比例,采用低氧(真空、Ar气)速凝工艺,在1400℃~1450℃,φ600mm×500mm规格铜轮,v=1m/s~2m/s的冷却强度下,制备厚度为0.2mm~0.45mm的(Nd,Pr)-Fe-B稀土永磁母合金薄片,并对产物通过XRD,SEM进行表征.采用一定工艺将合金制备成烧结永磁体,通过对退磁曲线分析,证明可获得性能理想的(Nd,Pr)-Fe-B产品.

关键词: 低氧速凝 , 稀土永磁 , 铸带

金属氧化物半导体薄膜气敏机理研究进展

李建昌 , 韩小波 , 姜永辉 , 巴德纯

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.02.015

气体传感器的核心介质为气敏薄膜,而薄膜本身的特性有关键的影响,主要体现在薄膜微观结构如晶粒尺寸、膜厚、空隙率和有效表面积等方面.溶胶-凝胶法由于有方法简单及成膜温度低等优点,得到了广泛研究与应用.本文综述了溶胶-凝胶法制备的金属氧化物薄膜微纳结构与气敏机理进来的研究进展,结果表明最佳的晶粒尺寸约为10nm,最佳膜厚约为110 nm.在晶粒尺寸控制方面,通过控制煅烧温度与时间及在溶胶-凝胶过程中加入不同的添加剂,可有效优化晶粒尺寸提高灵敏度.最后,从能带结构角度总结了气敏传感器的电学特性及荷电传输机理,讨论了热电子发射理论和电子隧穿理论起主导作用时的薄膜微纳结构.

关键词: 金属氧化物薄膜 , 半导体薄膜 , 气体传感器 , 溶胶-凝胶法

氧化铝薄膜在发光方面的研究进展

廖国进 , 巴德纯 , 闻立时 , 刘斯明 , 阎绍峰

材料导报

对近十几年来Al2O3薄膜在发光方面的研究进展分4个方面进行了介绍:(1)多孔阳极氧化铝薄膜基质的光致发光(PL)及其发光机理研究;(2)退火温度对多孔阳极氧化铝薄膜发光性能的影响;(3)氧化铝薄膜基质中掺杂稀土离子或过渡金属离子后的光致发光研究;(4)Al2O3薄膜的电致发光(EL)研究.此外,还对氧化铝薄膜发光方面的发展前景进行了展望.

关键词: Al2O3 , 薄膜 , 发光 , 研究进展

中频反应磁控溅射制备Al2O3:CeCl3薄膜及其光致发光特性

廖国进 , 骆红 , 闫绍峰 , 巴德纯 , 闻立时

稀有金属材料与工程

应用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3:CeCl3的非晶薄膜.Ce3+含量和薄膜的化学成分通过X射线散射能谱(EDS)测量.薄膜试样的晶体结构用x射线衍射分析.俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析.薄膜的光致发光峰是在370 nm到405 nm范围内,它们来自于Ce3+离子的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁.发光强度强烈地依赖于薄膜中的掺杂浓度和沉积时的基片温度.薄膜发光来自于氯化铈分子中的发光中心,而不是其他的掺杂Ce3+离子.随铈含量增加,光致发光峰向低能方向移动,可能与薄膜中存在氯元素有关.

关键词: 光致发光 , Al2O3 , 薄膜 , 磁控溅射:CeCl3

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