王善忠
,
谢绳武
,
庞乾骏
,
郑杭
,
夏宇兴
,
姬荣斌
,
巫艳
,
杨建荣
,
于梅芳
,
杜美容
,
乔怡敏
,
郭世平
,
何力
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2000.02.007
为研制ZnSe基蓝绿色半导体激光器,必须能够对组成激光器的各单元材料实现精确控制生长,包括材料的晶体质量、掺杂浓度和生长速度等。ZnSe是制备蓝绿激光器的基础材料,本文报道利用MBE技术对ZnSe 材料进行生长控制和掺杂控制的初步研究结果。
关键词:
ZnSe
,
MBE
,
生长控制
,
掺杂控制
王善忠
,
谢绳武
,
庞乾骏
,
郑杭
,
夏宇兴
,
姬荣斌
,
巫艳
,
李标
,
杨建荣
,
何力
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2000.01.017
为了证实某一研究结果的正确性，常常需要采用两种以上 相互独立的方法对同一物理量进行测量或计算。本文采用新颖的远红 外光谱技术和常用的Hall、C-V 等电学测量技术同时对MBE生长的 ZnSe:Cl,N薄膜中的载流子浓度进行评价研究， 发现电学法和光学法测 量的结果可以很好地吻合，从而确认了ZnSe宽禁带蓝绿色发光材料中 较高的掺杂水平。
关键词:
ZnSe:Cl,N单晶薄膜,载流子浓度,电学法测量,光 学法测量
王元樟
,
陈路
,
巫艳
,
吴俊
,
于梅芳
,
方维政
,
何力
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.018
本文采用X射线双晶衍射二次测量法对φ76mm Si(211)和GaAs(211)B衬底上生长的ZnTe和CdTe外延层的晶向倾角进行了测量,发现对于Si和GaAs衬底,外延层的[211]均绕外延层与衬底的[0-11]复合轴朝[111]倾斜,其晶向倾角与晶格失配呈线性关系;通过实际测量验证了在外延层探测到的[133]峰代表[211]关于[111]旋转180°的[255]孪晶向.
关键词:
分子束外延
,
晶格失配
,
晶向倾角
,
孪晶
王元樟
,
陈路
,
巫艳
,
吴俊
,
于梅芳
,
方维政
,
何力
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.034
本文利用高分辨率多重晶多重反射X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/ Si(211)与CdTe(211)B/GaAs(211)B材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的倒易点二维图,对CdTe缓冲层的应力和应变状况进行了分析.研究显示,对于一定厚度的CdTe外延薄膜,在从生长温度280℃降至室温20℃的过程中,由于和衬底存在热膨胀系数的差异,将在外延薄膜中产生热应力,使外延薄膜发生应变,并且这种应变取代了失配应变,在晶格畸变中占据主导地位.对于Si衬底,热应变表现为张应力;对于GaAs衬底,热应变表现为压应力.该研究结果对于进一步优化在大失配的异质衬底上外延同Hg1-xCdxTe材料晶格匹配的Cd1-yZnyTe材料的Zn组分具有指导意义.
关键词:
CdTe/GaAs
,
CdTe/Si
,
热应变
,
高分辨率多重晶多重反射X射线衍射
,
分子束外延
