吴贵斌
,
崔继锋
,
黄靖云
,
叶志镇
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2004.02.002
本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1-xGex合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究.通过XPS和SIMS图谱的研究,指出表面由于锗的偏析,造成锗在体内和表面的含量不同,在低温时生长锗硅合金,表面氢原子的吸附可有效地抑制锗的偏析,但随着温度的升高,氢的脱附造成锗的偏析现象更加明显.
关键词:
锗硅合金
,
表面偏析
,
表面耗尽
,
超高真空化学气相沉积
