刘翔
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王章涛
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崔祥彦
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邓振波
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王海军
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.02.012
光刻胶灰化是薄膜晶体管四次光刻工艺的核心工艺之一.初步研究了用纯O2对光刻胶进行灰化的工艺,影响光刻胶灰化的主要因素有功率、气压和灰化气体的流量,经过一组正交实验,得到了功率、气压、灰化气体的流量对光刻胶的灰化速率和均匀度的影响趋势.结果表明,功率是影响灰化速率的主要因素.通过不断地优化光刻胶的灰化条件,最终得到了理想的灰化条件,即功率为10500W,气压为26.7 Pa,O2的流量为2000mL/min,灰化时间为91s.
关键词:
薄膜晶体管
,
四次光刻
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光刻胶
,
灰化
