刘飞生
,
谢刚
,
于站良
,
崔焱
,
田林
,
聂志枫
,
李亚东
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.15.022
氯化法和硫酸法是生产钛白的主要工艺,氯化法具有环保优势和产品质量优势,是目前生产钛白的国际发展趋势.综述了目前国内外钛白的生产工艺的研究现状及发展趋势,重点分析了氯化工艺核心阶段氧化过程中存在的气流混合繁杂、反应器壁面易结疤和产品质量难控制等问题.提出未来氯化法应加强氧化机理研究,在少造成环境污染的前提下,降低原料品位要求、优化氧化反应器结构,得到质量更佳的产品.
关键词:
氯化法
,
钛白
,
氧化反应器
崔焱
,
林艳
,
谢刚
,
杨大锦
黄金
doi:10.11792/hj20140412
采用循环伏安法和线性扫描技术等电化学研究方法，系统研究了电解液体系中各阴阳离子对锑电沉积过程的影响。通过测定Sb3＋、NH4＋、F-、SO2-4及草酸等组分不同质量浓度下体系的循环伏安曲线、稳态极化曲线及塔菲尔曲线，分析了各离子在电解过程中的电化学行为及作用，确定了H2 SO4-NH4 F-SbF3电解液体系合适的成分为Sb3＋90～120 g／L、NH4＋50 g／L、F-80 g／L、H2 SO4360 g／L、H2 C2 O44～10 g／L。在此电解液体系下进行了粗锑的电解精炼试验，阴极锑纯度为99．9436％，达到国标1号精锑标准，阴极电流效率为97．60％。
关键词:
锑
,
电解精炼
,
H2 SO4 -NH4 F-SbF3体系
聂陟枫
,
谢刚
,
侯彦青
,
崔焱
,
李荣兴
,
俞小花
人工晶体学报
考虑西门子反应器中对流、辐射以及化学反应热三种热传递形式,建立了硅棒的二维轴对称热传递模型.相比于对流和化学反应热,辐射是最主要的传热方式.基于此模型分析了12对棒西门子反应器中硅棒辐射位置和反应器壁发射率对硅棒内部径向温度分布以及电流密度分布的影响.结果表明:直流电加热时,硅棒内部径向方向上形成了明显的温度梯度,且外环硅棒内部温度梯度要大于内环硅棒温度梯度;降低反应器壁发射率,外环硅棒温度梯度减小,电流密度分布更为均匀.
关键词:
热量传递
,
硅棒
,
电加热
,
西门子反应器
聂陟枫
,
谢刚
,
侯彦青
,
崔焱
,
李荣兴
,
宋东明
人工晶体学报
本文考虑包括热辐射在内的质量传递、动量传递、能量传递三维模型,利用流体力学计算软件,对12对棒西门子多晶硅CVD还原炉硅沉积过程的传热情况进行数值模拟.应用传热模型计算了实际还原过程的总能耗,并与实际生产运行测量值进行比较,相对误差为7.1％,表明传热模型准确可靠.基于DO离散坐标辐射模型,详细分析了硅棒与反应器壁间的辐射换热情况,探讨了硅棒生长过程中内、外环硅棒辐射能的变化趋势以及不同器壁发射率对还原炉内辐射能的影响.结果表明:辐射换热是硅沉积过程最主要的热量传递形式;外环硅棒的辐射能远大于内环硅棒的辐射能,并且外环硅棒的辐射能随硅棒直径的增大而增大;硅棒辐射能随着反应器壁材料发射率的增大而增大,并采用典型工况数据,计算了不同反应器壁材料发射率条件下的产品单位质量理论能耗.
关键词:
辐射换热
,
CVD还原炉
,
多晶硅
,
数值模拟
,
改良西门子法
崔焱
,
华一新
材料科学与工程学报
本文在ChCl/CrCl2·6H2O离子溶液体系中,采用循环伏安法和恒电位阶跃法研究了Cr(Ⅲ)在玻碳电极上的电化学成核机理.研究结果表明,Cr(Ⅲ)的电化学成核机理是三维成核并与过电位有关.当过电位较小时,Cr(Ⅲ)的电结晶过程为三维连续成核,其扩散系数为(2.56±0.33)×10-11m2/s.当过电位较大时,Cr(Ⅲ)的电结晶过程趋向于三维瞬时成核过程,其扩散系数和晶核数密度均与过电位无关,分别为(3.04±0.3)×10-11m2/s和(4.47±0.05)×1011/m2.两种成核方式的法向生长速率常数均与过电位成线性关系,晶体法向的生长没有受到任何阻滞.
关键词:
ChC1/CrC13·6H2O体系
,
离子液体
,
电结晶
