马强
,
杨德仁
,
马向阳
,
崔灿
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.05.015
本文研究了快速热处理工艺(RTP)在模拟的CMOS热处理工艺中对直拉硅单晶中氧沉淀和洁净区(DZ)的影响.研究表明:在模拟的CMOS热处理工艺之前,应用快速热处理(1250℃,50s)代替常规炉处理(1200℃,2h)消除直拉硅单晶热历史,可以更有效地消融原生氧沉淀.经过CMOS热处理工艺后,硅片的表面存在宽度约为20μm的洁净区(DZ),同时其体内有较高密度的体缺陷(BMD).
关键词:
直拉硅单晶
,
氧沉淀
,
快速热处理工艺
,
CMOS工艺
张分电
,
王国昌
,
丛川波
,
崔灿
,
李文博
,
周琼
合成材料老化与应用
doi:10.3969/j.issn.1671-5381.2011.04.004
以普光油气田现场所用快开盲板密封橡胶为研究对象,进行了室内模拟H2S/CO2环境的腐蚀实验,分析了其腐蚀前后的外观、力学性能、微观结构及红外光谱的变化,推断了快开盲板橡胶密封材料的腐蚀机理.结果表明,腐蚀后密封橡胶材料的力学性能损失严重,主要是由三种原因造成的,一是加压时溶解在密封材料基体内部的气体在减压的过程中膨胀而形成裂纹；二是在腐蚀过程中基体内部的填料与氟橡胶基体之间脱粘；三是在腐蚀过程中硫化氢与主链共轭双键反应,使密封材料的交联点被破坏.
关键词:
快开盲板密封材料
,
硫化氢腐蚀
,
红外光谱
,
失效机理
