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半导体陶瓷致冷材料的性能与结构

崔万秋 , 程皓 , 龚定农 , 张斗

材料研究学报

采用新的陶瓷工艺技术,在气氛保护条件下,通过固相烧结反应法制备出温差电多晶材料。对膺三元固溶体化合物P 型(72%Sb_2Te_3+25%Bi_2Te_3+3%Sb_2Se_3)和N 型(90%Bi_2Te_3+5%Sb_2Te_3+5%Sb_2Se_3)的掺杂陶瓷样品进行了性能与结构研究。找到了最佳工艺制度。样品性能参数为:N 型:α=186μV/K σ=1250Ω~(-1)·cm~(-1) λ=14.7mW/(cm.K) Z=2.9×10~(-3)/KP 型:α=220μV/K σ=900 Ω~(-1)·cm~(-1) λ=14.0mW/(cm.K) Z=3.1×10~(-3)/K

关键词: 温差电 , semiconductor refrigeration , ceramic

PLMN、PLN、PMN体系压电陶瓷性能与结构的对比研究

刘静 , 丁凌峰 , 周静 , 崔万秋

功能材料

在PLN-PZT、PMN-PZT两个三元系基础上制备的PLMN-PZT四元系压电陶瓷综合了两个三元系材料的优点,既具有良好的压电性能又具有小的损耗,是一种优良的压电变压器材料.通过三个体系的比较,PLMN-PZT四元系材料适中的四方度、晶粒尺寸及晶界处锰的析出是它具有良好压电、介电性能的结构基础.

关键词: 压电陶瓷:PLN-PZT , PMN-PZT , PLMN-PZT , 结构 , 性能

PZSN系压电陶瓷X射线衍射分析

孙文华 , 周静 , 崔万秋

材料研究学报

用X射线衍射法研究了Pb[(Zn1/3Nb2/3)(Sn1/3Nb2/3)](ZrTi)O3体系压电陶瓷的结构.探讨了微量元素掺杂对材料晶胞参数的影响,以及电极化前后的状况结果表明:样品均为四方相钙钛矿型结构;掺杂微量元素后晶胞参数略有变化;极化使角区发生90°旋转,微应变增加,表现为晶胞中晶面的峰强反转

关键词: 压电陶瓷 , null , null

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