彭栋梁
,
王伟
,
王来森
,
陈远志
,
岳光辉
,
隅山兼治
,
日原岳彦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.02.013
采用等离子体增强射频磁控溅射沉积方法,在室温下制备了Fe-O合金薄膜.研究了氧的掺杂量和薄膜厚度对薄膜软磁和高频特性的影响.结果发现少量氧的掺杂不导致低饱和磁化强度铁氧化物的形成,但可使薄膜晶粒细化,矫顽力下降.在薄膜厚度低于150 nm且氧气与氩气相对流量比为2.4%的条件下,薄膜的实部磁导率高达1100且能够维持到1GHz.
关键词:
氧掺杂
,
厚度
,
软磁特性
,
高频特性
袁晓梅
,
王君
,
吴志国
,
岳光辉
,
闫鹏勋
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.045
采用反应射频磁控溅射法,在氮气和氩气的混合气体氛围中,玻璃基底上制备出了具有半导体特性的氮化铜(Cu3N)薄膜,并研究了混合气体中氮气分量对Cu3N薄膜的择优生长取向、平均晶粒尺寸、电阻率和光学带隙的影响.原子力显微镜,X射线衍射仪,四探针电阻仪,紫外可见光谱分析及纳米压痕仪等测试结果表明:薄膜由紧密排列的柱状晶粒构成,表面光滑致密;随着氮气分量的增加,Cu3N薄膜由沿(111)晶面择优生长转变为沿(100)晶面择优生长,晶粒尺寸变小,电阻率ρ从1.51×102Ω·cm逐渐增加到1.129×103Ω·cm;薄膜的光学带隙在1.34～1.75eV间变化;薄膜的硬度约为6.0GPa,残余模量约为108.3GPa.
关键词:
氮化铜薄膜
,
射频磁控溅射
,
表面形貌
,
电阻率
,
光学带隙
,
显微硬度
王明旭
,
岳光辉
,
范晓彦
,
闫德
,
闫鹏勋
,
杨强
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.041
采用反应射频磁控溅射的方法在纯氮气气氛下、氮气流量为12sccm、衬底温度为100℃的条件下,在玻璃基底上成功制备了氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示薄膜择优[100]晶向生长.用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察了样品的表面形貌,发现样品表面平整、结构紧密.用四探针法检测了薄膜的霍尔特性,发现随温度的降低薄膜的霍尔系数、霍尔电阻率均增加.霍尔迁移率在高温范围也呈降低的趋势,但是变化的范围比较小,在低温范围又有所增加.随温度的降低薄膜的载流子浓度降低.我们还通过变温的霍尔系数估算了氮化铜薄膜的禁带宽度约为1.35eV.
关键词:
氮化铜薄膜
,
XRD
,
SEM
,
AFM
,
霍尔效应
岳光辉
,
林友道
,
王来森
,
彭栋梁
人工晶体学报
使用磁控溅射结合惰性气体冷凝的方法制备了Cu纳米粒子,通过将Cu纳米粒子沉积与ZnO离子束溅射原位复合的方法制得了CuNps@ZnO纳米复合薄膜,并研究了退火温度对CuNps@ZnO纳米粒子复合薄膜的结构和光学性能的影响.通过对样品的表征发现所得产物中存在着低温条件下难以形成的立方相、岩盐结构的ZnO.并且,样品的微观形貌、结晶性和光学性能随着退火温度的变化而发生显著地变化.
关键词:
退火温度
,
ZnO纳米复合薄膜
,
离子束溅射
,
光学性能
岳光辉
,
闫鹏勋
,
刘金良
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.032
采用反应射频磁控溅射的方法在不同的氮气分压的条件下,在玻璃基底上成功制备了氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示氮气的气氛影响薄膜的择优生长取向,在低氮气气氛时薄膜择优[111]晶向生长,在高的氮气气氛条件下薄膜的择优生长取向为[100].用Scherrer公式估算出薄膜晶粒的大小在17～26nm之间,实验并研究了薄膜的热稳定性和电学性质.结果表明,薄膜的热稳定性较差,在200℃退火1h后已经完全呈Cu的相,薄膜的电阻率随着填隙原子的数目减少从导体到绝缘体发生不连续的改变.
关键词:
Cu3N薄膜
,
热稳定性
,
电阻率
