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Ⅱb型金刚石单晶的制备和半导体特性研究进展

宫建红 , 李木森 , 许斌 , 尹龙卫 , 崔建军

功能材料

Ⅱb型金刚石由于具有极佳的半导体性能,适合于制造高性能电力电子器件,可以在更高的温度和恶劣的环境下正常工作,是一种有发展前途的高温、大功率半导体材料.本文从结构、合成方法、半导体特性和应用等方面阐述了Ⅱb型半导体金刚石的研究现状,在此基础上提出了今后的研究方向.

关键词: 人造金刚石 , 半导体性能 , 硼

人造金刚石金属包膜研究进展

许斌 , 李木森 , 宫建红 , 尹龙卫 , 崔建军 , 程开甲

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.01.018

对高温高压下合成金刚石形成的金属包膜的深入研究具有重要意义,有可能是揭示金刚石合成机理的

关键词: 人造金刚石 , 高温高压 , 金属包膜

静压触媒法制备的人造金刚石中的晶体缺陷

尹龙卫 , 李木森 , 陈芝 , 孙东升 , 董秀梅 , 郑培智

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.01.018

本文首次采用透射电子显微术系统地研究了由FeNi触媒制备的金刚石单晶的微观结构，分析了人造金刚石中存在的晶体缺陷，探讨了这些晶体缺陷形成的原因。研究发现金刚石中存在层错、棱柱位错、位错列和位错网络等晶体缺陷。研究结果表明，金刚石中的晶体缺陷与金刚石的高温高压合成过程密不可分，主要起源于金刚石中大量过饱和的空位和微观杂质所引起的内应力。

关键词: 人造金刚石 , 棱柱位错 , 层错 , 位错网络

人造金刚石晶体中微观杂质的TEM分析

尹龙卫 , 邹增大 , 李木森 , 孙东升 , 郑培智 , 郝兆印

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.04.020

本文成功地利用透射电子显微术探讨了高温高压条件下于Fe-Ni-C系统中生长的人造金刚石单晶内部的微观杂质.分析了金刚石晶体中杂质的微观结构、化学成分组成、晶体结构及其可能形成的原因.研究结果表明,金刚石晶体中微观杂质与原材料、传压介质和高温高压过程密切相关,主要由面心立方(FeNi)23C6,正交结构的FeSi2,面心立方SiC和非晶态石墨组成.

关键词: 人造金刚石 , 微观杂质 , 高温高压 , 透射电子显微术

人造金刚石晶体生长的微观机制

尹龙卫 , 李木森 , 孙东升 , 郝兆印 , 程开甲

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.04.018

本文以FeNi合金作为触媒,以石墨为碳源,在高温高压下合成了粒度为0.5mm～0.7mm的金刚石单晶.利用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对不同生长阶段的金刚石的表面和内部截面的形貌进行了微观观察和分析.结果表明,金刚石晶面以片层机制长大,生长孪晶在金刚石长大过程中出现.在孪晶中发现许多呈六角形的可能与被输送到生长孪晶的碳原子有关的亚颗粒.

关键词: 金刚石 , 表面形貌 , 触媒 , 孪晶 , 亚颗粒

铜膜碘化法制备p型CuI薄膜及其用作空穴传输层的反型钙钛矿电池性能

刘畅 , 苑帅 , 张海良 , 曹丙强 , 吴莉莉 , 尹龙卫

无机材料学报 doi:10.15541/jim20150455

γ相碘化亚铜(γ-CuI)是一种带隙为3.1 eV的p型半导体材料,适合应用于发光二极管和太阳能电池等光电子器件.本研究利用简单的铜膜碘化法制备了CuI薄膜,探究了碘化时间、温度及铜/碘比等生长条件对其透明导电性能的影响.在最优碘化时间(30 min)和碘化温度(120℃)下,制备出了高透过率(可见光范围＞75％)、导电性能好(电阻率4.4×10-2Ω·cm)的CuI薄膜.利用CuI薄膜作为空穴传输层,组装了CuI/CH3NH3PbI3/PCBM反型平面钙钛矿电池,获得的最高光电转换效率为8.35％,讨论了CuI薄膜透明导电性能对钙钛矿电池光电转换效率的影响机理.

关键词: 碘化亚铜 , 铜膜碘化法 , 透明导电 , 反型钙钛矿太阳能电池

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