尹立峰
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王思青
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张长瑞
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曹峰
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李斌
硅酸盐通报
采用HSiCl3-NH3-N2体系在750～900℃在石英陶瓷基板上沉积了Si3N4涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响.结果表明,随着沉积温度的升高,Si3N4涂层的沉积速率和致密度首先相应增大,在850℃达到最大值,此后逐渐下降.沉积所得的Si3N4涂层中有含氢化学键的存在.在沉积Si3N4涂层的过程中,Si3N4颗粒呈团簇状生长,团簇之间存在孔隙.
关键词:
化学气相沉积
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涂层
,
氮化硅
尹立峰
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王思青
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张长瑞
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崔岩
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徐晓燕
材料导报
采用HSiCl3-NH3-N2(稀释气体)体系在石英陶瓷基板上通过低压化学气相沉积(LPCVD)法沉积出了Si3N4涂层,研究了工艺条件对涂层沉积速率的影响.结果表明,在没有稀释气体的情况下,随着沉积温度升高,Si3N4涂层的沉积速率逐渐增加,在850℃附近达到最大值,随着反应温度的进一步升高,涂层沉积速率下降.当存在稀释气体时,在所选温度范围内随着沉积温度的升高,Si3N4涂层的沉积速率一直增大,反应的表观活化能约为222KJ/mol.随着原料中NH3/HSiCl3流量比值的增大,Si3 N4涂层的沉积速率逐渐增加,随后稳定,但稍有下降趋势.在所选稀释气体流量范围内,Si3N4涂层的沉积速率随着稀释气体流量的增加而增大.
关键词:
LPCVD
,
氮化硅涂层
,
沉积速率
