尹正帅
,
何金桂
,
李勇
,
薛向欣
硅酸盐通报
以MgCl2·6H2O、H3BO3和H2C2O4·2H2O为原料,利用草酸盐法制备出形貌良好的纳米硼酸镁晶须,其长度300 ～ 500 nm,直径60 ～ 100 nm,探讨了制备硼酸镁晶须的最佳工艺条件,分析了Mg2B2O5的生长过程中H2C2O4的作用.同时采用高温固相法,以NaCl为助熔剂,制备出长度10 ～ 35 μm,直径1～2 μm针状硼酸镁晶须.通过对比发现,用H2C2O4·2H2O代替NaCl作为添加剂,可以降低煅烧温度,同时大大缩短了煅烧时间,制备得到的晶须更为纯净、长度直径可达到纳米级别.
关键词:
草酸盐法
,
高温固相法
,
纳米
,
硼酸镁晶须
尹正帅
,
李勇
,
李哲夫
,
薛向欣
材料与冶金学报
doi:10.3969/j.issn.1671-6620.2012.02.007
采用高温固相法制备硼酸镁晶须的最佳工艺条件为:焙烧温度大于900℃,焙烧时间为8.0h.制得的晶须粗细均匀,晶型完美,直径约为1.5μm,长度约35μm,长径比约为24.经XRD、SEM和FT-IR分析确定为硼酸镁晶须.以酚醛树脂为基体,添加硼酸镁晶须制备硼酸镁晶须/酚醛树脂复合材料,探讨了硼酸镁晶须添加量和材料厚度对热中子屏蔽率的影响；当硼酸镁晶须添加量为40份时,热中子屏蔽率为73.64％,继续增加添加量,热中子屏蔽率增幅不大；材料厚度为1.0 cm时,热中子屏蔽率为85.01％,继续增加厚度,热中子屏蔽率增加不明显.实验结果表明,以硼酸镁晶须制备聚合物中子屏蔽材料不仅可行,而且对热中子辐射具有较好的屏蔽性能.
关键词:
高温固相法
,
硼酸镁晶须
,
中子
,
辐射屏蔽
尹正帅
,
李勇
,
薛向欣
材料导报
以MgCl2·6H2O、H3BO3和H2GO4·2H2O为原料,利用草酸盐法制备出长度为4.0～8.0μm,直径为0.6～1.5 μm,长径比约为10,形貌良好的硼酸镁晶须.采用XRD、SEM及TG-DTA等分析手段,研究了烧结温度、烧结时间、n(B)/n(Mg)、n(H2C2O4)/n(Mg)对硼酸镁晶须的生长过程和质量的影响,探讨了其最佳制备条件.结果显示,硼酸镁晶须的最佳制备条件为:烧结温度为800℃,烧结时间为4.0h,n(B)/n(Mg) =1.2,n(H2C2O4)/n(Mg)=1.2.根据XRD和TG-DTA分析,MgC2O4前驱体对硼酸镁晶须的形成和生长有较大的促进作用,分解产物不引入其它杂质,使得制备的晶须纯度较高.晶须的生长机理为S-L-S机理.
关键词:
草酸盐法
,
制备
,
硼酸镁晶须
,
S-L-S机理
