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L-丙氨酸掺杂下ZTS晶体法向生长动力学及化学侵蚀研究

曹亚超 , 李明伟 , 潘翠连 , 朱廷霞 , 尹华伟 , 程旻

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.11.013

通过对 L-丙氨酸掺杂下 ZTS(100)、(010)及(001)面法向生长速度的研究发现,各晶面法向生长速度随过饱和度的增加而线性增加;随掺杂浓度的增加,(100)面的法向生长速度先增大后减小,而(010)及(001)面的法向生长速度先减小,接着增大,然后又减小。分析表明(100)面以位错生长机制为主,(010)及(001)面以连续生长机制为主。利用光学显微镜在侵蚀后的(100)面观察到矩形位错蚀坑,蚀坑密度为33~308 mm-2;掺杂浓度为1%(摩尔分数)时,蚀坑密度最小。

关键词: ZTS晶体 , 法向生长速度 , 动力学 , L-丙氨酸 , 化学侵蚀法

转晶法KDP单晶生长晶面溶质浓度场模拟

周川 , 李明伟 , 尹华伟 , 宋洁 , 胡志涛 , 王邦国

人工晶体学报

针对转晶法生长KDP单晶过程,进行了流动与物质输运数值模拟,以获得生长过程中晶面溶质浓度(过饱和度)的变化规律.文中展示了晶体表面浓度分布随时间的变化过程;分析了不同转速和晶体尺寸,对晶面时均浓度场的影响.结果表明,转速越快,晶体表面过饱和度越高;晶体尺寸对其表面过饱和度的大小和分布也有较大影响.此外,由于空间上不对称,Z向和Y向晶面过饱和度分布有较大差异.在晶体处于静止或低转速,自然对流可能会对晶体表面的过饱和度分布产生影响.

关键词: 转晶法 , KDP单晶 , 数值模拟 , 过饱和度

不同运动方式KDP单晶生长流动与物质输运数值分析

周川 , 李明伟 , 尹华伟 , 崔启栋 , 胡志涛

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2017.02.029

针对两种不同运动方式下的KDP单晶生长,进行了流动与物质输运模拟.分析和比较了不同运动方式下,晶面附近溶液流动及晶面过饱和度分布特征.研究了晶体尺寸对晶面过饱和度场的影响.结果表明:二维运动法中,晶面遭受的水动力学条件较为复杂,使得其过饱和度分布不如转晶法规则;二维运动法锥面过饱和度明显高于转晶法;单位周期内,转晶法晶面平均过饱和度存在较大波动,而二维运动法过饱和度随时间变化较小;总体上看,小尺寸晶体时,二维运动法晶面过饱和度梯度小于转晶法;大尺寸晶体时,二维运动法晶面过饱和度梯度大于转晶法.

关键词: KDP单晶 , 表面过饱和度 , 二维运动法 , 转晶法 , 数值模拟

EDTA掺杂下ZTS溶液的亚稳区实验研究

宋洁 , 李明伟 , 尹华伟 , 康道远

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.03.004

通过实验研究了添加乙二胺四乙酸(EDTA)对ZTS溶液亚稳区宽度的影响.针对不同饱和温度、不同掺杂浓度(0.15,0.60和1.50 g/100 mL)及不同降温速率,进行了一系列亚稳区实验.根据实验所得数据研究了不同条件下的亚稳区宽度并通过不同降温速率下的亚稳区宽度计算得到了成核参数.

关键词: 亚稳区宽度 , EDTA , 成核参数

KDP晶体“二维平动法”生长及其品质分析

崔启栋 , 李明伟 , 尹华伟

人工晶体学报

首先测量了KDP溶液的亚稳区,并据此开展“点籽晶”KDP晶体快速生长实验.在实验中采用两种晶体运动方法-“二维平动法”和“旋转法”来生长晶体,分别得到尺寸为55 mm×55 mm×48 mm和60 mm×60 mm×45 mm的晶体.将两种运动方式生长的晶体通过透过光谱,锥光干涉图以及化学腐蚀方式进行质量对比.结果表明,两种方式生长的晶体透过光谱没有太大区别,都具有较高的透过率,但“二维平动法”生长的晶体具有较好光学均匀性,位错密度明显降低.说明“二维平动法”生长晶体的方式能够减少晶体内部缺陷,提高晶体质量.

关键词: KDP晶体 , “二维平动法” , 透过光谱 , 锥光干涉图 , 化学腐蚀

不同EDTA添加剂浓度下ZTS溶液诱导期及其成核特性研究

宋洁 , 李明伟 , 尹华伟

人工晶体学报

测定了25℃下,添加不同浓度的EDTA后,不同过饱和比下ZTS溶液的诱导期,研究了掺杂浓度及过饱和比对ZTS溶液成核的影响.研究显示,当溶液处于较高过饱和比时(S>1.13),均匀成核占主导;而在较低过饱和比时(S< 1.11),则以非均匀成核为主.利用经典成核理论对实验所得数据进行分析,计算得到了界面张力、临界核形成功、临界核半径等成核特性,发现了溶液过饱和比及掺杂浓度对成核速度的影响,解释了添加EDTA能提高溶液稳定性的原因.利用界面张力的值计算得到了表面熵因子.

关键词: ZTS溶液 , EDTA , 诱导期 , 均匀成核

棱角对NH4H2PO4晶体Z切片薄表面层生长影响的研究

程高 , 李明伟 , 尹华伟

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160047

本研究制备了具有不同形式棱角的NH4H2PO4(ADP)晶体Z切片样品.通过实验,观察不同Z切片薄表面层形成及生长特性,并计算了不同棱角情况下薄表面层的切向生长速度V及其动力学系数β.结果表明,正常棱角的缺失,影响Z切片对其原有形态的“判断”,进而影响薄表面层的形成及生长;薄表面层在正常棱角处相遇形成相交角后,将主要在相交角处形成并向棱边扩展生长,表明棱角可能为薄表面层的主要生长源.此外,计算结果显示,正常棱角处薄表面层切向生长的平均生长动力学系数βn为131.8 μm/s,远大于棱角缺失后薄表面层切向生长的平均生长动力学系数βα=1 1.6 μm/s,即正常棱角缺失后,薄表面层的切向生长速度将大大降低.

关键词: ADP晶体 , 薄表面层 , 棱角 , 生长动力学

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