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Bi4Ti3O12铁电薄膜X射线光电子能谱研究

张寅 , 王弘 , 尚淑霞 , 王少伟 , 王民 , 齐尚奎 , 刘希玲

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.02.015

本文采用化学溶液沉积(CSD)工艺在Si(100)衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜,这种薄膜的X射线衍射(XRD)结果显示其具有较好的结晶性.运用X射线光电能谱仪(XPS)对薄膜的结构进行了研究,分析结果表明,衬底中Si向镀在其上的Bi4Ti3O12膜层内扩散,影响扩散的主要因素是膜厚及退火温度.

关键词: 铁电薄膜 , 化学溶液沉积法 , X射线光电子能谱 , Si扩散

High-k材料研究进展与存在的问题

杨雪娜 , 王弘 , 张寅 , 姚伟峰 , 尚淑霞 , 周静涛 , 刘延辉

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.008

随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统的SiO2,这就要综合考虑以下几个方面问题:(1)介电常数和势垒高度;(2)热稳定性;(3)薄膜形态;(4)界面质量;(5)与Si基栅兼容;(6)工艺兼容性;(7)可靠性.本文综述了几类High-k栅介质材料的研究现状及存在的问题.目前任何一种有望替代SiO2的栅介质材料都不能完全满足上述几点要求.但是,科学工作者们已经发现了几种有希望的High-k候选材料.

关键词: High-k材料 , MOSFET , 栅介质 , 薄膜

微米级石英空心小球表面TiO2薄膜的制备及其降解性能的研究

姚伟峰 , 王弘 , 黄柏标 , 许效红 , 杨雪娜 , 周静涛 , 尚淑霞

功能材料

在粒径大小为57~74μm之间的石英空心小球表面成功的镀上一层TiO2薄膜.XRD显示600℃退火时TiO2薄膜结晶性能较好,退火700℃以上开始出现金红石相.镀TiO2薄膜石英空心小球较好的解决了TiO2纳米粉在溶液光降解中易出现的团聚问题.小球衬底的粒径较大,有利于解决TiO2粉状催化剂易出现的难以回收再利用的问题.利用对甲基橙的光降解试验来评估薄膜的催化降解性能,结果表明镀膜小球的光催化性能比TiO2纳米粉的光催化性能要好.

关键词: 石英空心球 , 二氧化钛 , 光降解

Bi2Ti2O7薄膜制备及 Bi2Ti2O7绝缘栅场效应管研制

肖卓炳 , 吴显明 , 王少伟 , 王弘 , 王卓 , 尚淑霞 , 王民

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.02.013

采用化学溶液沉积法,以硝酸铋和钛酸四丁酯为原料成功地制备了 Bi2Ti2O7介质膜。制膜过 程简单,成本低廉,得到的薄膜具有良好的绝缘性和较高的介电常数,用其制备的绝缘栅场效应管 与相同尺寸的 SiO2绝缘栅场效应管相比,具有较高的跨导和较低的开启电压。

关键词: 化学溶液沉积法 , Bi2Ti2O7薄膜 , 介电常数 , 绝缘栅场效应管

退火温度对(Bi0.8La0.2)2Ti2O7薄膜物理和电学性质的影响

杨雪娜 , 黄柏标 , 尚淑霞

功能材料

采用化学溶液沉积法,在Si[100]衬底上制备了掺La的(Bi0.8La0.2)2Ti2O7薄膜,研究了退火温度对薄膜结晶性及电学性能的影响.研究发现,随着退火温度的升高,样品的结晶性越来越好;漏电流密度随之降低,表明绝缘性逐渐增强.实验证明该薄膜具有良好的绝缘性和较高的介电常数.

关键词: 薄膜 , 退火温度 , X射线衍射 , 电学性质

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