冯昭伟
,
尚再艳
,
李君涛
,
崔跃
,
袁志山
,
王江波
,
缪卫东
,
马嘉丽
金属功能材料
doi:10.13228/j.boyuan.issn1005-8192.2016077
系统地研究了Ni49Ti51-xZrx合金冷轧板的相变温度及记忆性能.随着Zr含量的增加,Ni49Ti51-xZk合金铸锭相变温度Af升高,在15％Zr(原子分数)时达到228℃,Mf先降低后升高.Ni49 Ti51-xZL合金板材的硬度随冷轧变形量增加而增加,随退火温度升高而降低.对于Ni49Ti51xZrx合金25％冷轧变形量板材,随退火温度升高,锆的原子分数低于5％时合金板材的Af先降低再升高,Ni49Ti41 Zr10、Ni49Ti36Zr15合金板材Af持续升高.随退火温度升高,冷轧板材记忆恢复应变先升高后降低,在500℃时具有最高值,双程可恢复应变升高;随Zr含量增加,可恢复应变降低,双程记忆恢复应变减小.
关键词:
Ni49Ti51-xZrx
,
形状记忆合金
,
相变温度
,
记忆性能
何金江
,
陈明
,
朱晓光
,
罗俊锋
,
尚再艳
,
贺昕
,
熊晓东
贵金属
高纯 Au、Ag、Pt、Ru 贵金属及其合金溅射靶材是半导体 PVD 工艺制程中的溅射源材料，广泛用于半导体制造工艺中，成为保证半导体器件性能和发展半导体技术必不可少及不可替代的材料。材料的高纯化、高性能贵金属及其合金靶材的制备（金属熔铸、热机械处理、粉末烧结、焊接等）以及贵金属靶材残靶及加工余料残屑的提纯回收利用是研究发展的重点，以实现贵金属靶材产品的高效增值。
关键词:
金属材料
,
半导体
,
溅射靶材
,
高纯
,
金
,
银
,
铂
,
钌
尚再艳
,
张涛
,
陈明
,
朱晓光
,
刘红宾
,
何金江
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.01.022
高纯镍是制造半导体集成电路及微电子行业用电子薄膜材料的原材料.采用电子束熔炼方法制备高纯镍,研究了一次和二次电子束熔炼对高纯镍锭纯度、表面质量和内部铸造缺陷的影响.通过对铸锭宏观形貌的观察和杂质含量的化学分析,发现一次熔炼可将原材料提纯至99.99％,但铸锭仍存在较多宏观铸造缺陷;而二次熔炼充分去除了杂质和气体元素,如Al,Fe,Cu和C,N,O等,最终使镍锭纯度提高至99.995％以上且内部连续一致无集中缩孔、疏松和气孔等缺陷.通过对镍电子束熔炼过程中杂质元素和基体镍的蒸气压的理论计算对比,和对杂质去除率的理论计算,说明了杂质从镍基体分离的方式并验证了化学成分检测的杂质实际去除率.
关键词:
电子束
,
熔炼
,
高纯镍
,
提纯
尚再艳
,
王欣平
,
杨永刚
,
杨亚卓
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.01.025
使用真空感应熔炼制备CuNiMnFe合金,对合金均匀化前后的微观组织进行分析,并研究了淬火工艺、时效工艺对合金性能的影响.结果表明:CuNiMnFe合金进行800 ℃,8 h的均匀化处理后,合金成分分布均匀;合金采用热锻及时效热处理工艺即可达到强化效果,经440 ℃,44 h时效处理后,室温抗拉强度≥1240 MPa,硬度≥370 HV,400 ℃时抗拉强度≥990 MPa.
关键词:
高强度
,
CuNiMnFe
,
热锻
,
时效热处理
