刘明
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陈宝钦
,
刘小伟
,
尉林鹏
,
吴德馨
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.030
Ⅰ-线光致抗蚀剂可以同时被电子束和光学曝光系统曝光,在50KV加速电压下,其曝光剂量为50-100μC/cm2,曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1min.其灵敏度比PMMA快5倍,分辨率为0.5μm.采用两种方法制备GaAs PHEMT,首先,用I线光致抗蚀剂,源、漏及栅的全部都采用电子束曝光,制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT.将源、漏及栅分割成两部分,其中的精细部分由电子束曝光,其余部分由光学曝光系统曝光,用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT.
关键词:
Ⅰ-线光致抗蚀剂
,
栅长
,
混合与匹配光刻
