澜清
,
周大勇
,
孔云川
,
边历峰
,
苗振华
,
江德生
,
牛智川
,
封松林
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.05.009
通过引入较长停顿时间,采用分子束外延循环生长方法在350℃低温获得了一种横向聚合的InAs自组织量子点,在荧光光谱中观察到1.55μm波长的发光峰. 通过AFM和PL谱的联合研究,表明此低温循环生长方法有利于在长波长发光的量子点的形成.
关键词:
InAs自组织量子点
,
循环生长
,
分子束外延
,
1.55μm波长
张徐
,
刘波
,
宋三年
,
姚栋宁
,
朱敏
,
饶峰
,
吴良才
,
宋志棠
,
封松林
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.13210
采用CF4和Ar混合气体研究了新型相变材料Ti0.5Sb2Te3(TST)的刻蚀特性,重点优化和研究了刻蚀气体总流速、CF4/Ar的比例、压力和功率等工艺参数对刻蚀形貌的影响.结果表明,当气体总流量为50 sccm、CF4浓度为26％、刻蚀功率为400W和刻蚀压力为13.3 Pa时,刻蚀速度达到126 nm/min,TST薄膜刻蚀图形侧壁平整而且垂直度好(接近90°)、刻蚀表面平整(RMS为0.82 nm)以及刻蚀的片内均匀性等都非常好.
关键词:
新型相变材料
,
干法刻蚀
,
CF4+Ar气体
,
刻蚀速度
孔云川
,
周大勇
,
澜清
,
刘金龙
,
苗振华
,
封松林
,
牛智川
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.06.008
用优化的MBE参数生长了1.3μm发光的InAs/GaAs量子点材料,并制成发光二极管,对不同温度和有源区长度下样品的电致发光谱进行了细致的研究.观察到两个明显的电致发光峰,分别对应于量子点基态和激发态的辐射复合发光.实验表明,由于能态填充效应的影响,适当增大量子点发光器件有源区长度,更有利于获得基态的光发射.这个结果提供了一种控制和调节InAs/GaAs量子点发光二极管和激光器的工作波长的方法.
关键词:
量子点
,
电致发光
,
发光二极管
,
能态填充效应
刘奇斌
,
宋志棠
,
吴良才
,
封松林
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.02.009
Ge纳米晶嵌入高k介质中既可以提高器件的可靠性又可以降低写入电压和提高存储速度.本实验主要研究了用于非挥发存储器的含有Ge纳米晶MIS结构的电荷存储特性.MIS结构由电子束蒸发的方法制备,包括Al2O3控制栅,Al2O3中Ge纳米晶和Al2O3隧道氧化层.这种MIS结构在1MHz下的C-V特性表现出良好的电学性能,平带电压漂移为0.96V,电荷存储密度达到4.17×1012cm-2.不同频率下Ge纳米晶在Al2O3介质中电荷存储特性随着频率的增加,平带电压的漂移和存储的电荷数减小.随着扫描速率的增加,平带电压的漂移和存储电荷也减小.
关键词:
Ge纳米晶
,
高k介质
,
C-V曲线
徐成
,
刘波
,
冯高明
,
吴良才
,
宋志棠
,
封松林
,
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.009
采用0.18μm标准工艺制备出基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的相变存储器器件单元,利用自行设计搭建的电学测试系统研究了其存储性能.结果表明:Sn的掺杂没有改变Ge2Sb2Te5的相变特性,其相变阚值电压和阈值电流分别为1.6V和25μA;实现了器件单元的非晶态(高阻)与晶态(低阻)之间的可逆相变过程;器件单元中相变材料结晶所需电流最低为1.78mA(电流宽度固定为100ns)、结晶时间大于80ns(电流高度固定为3mA);相变材料非晶化脉冲电流宽度为30ns时,所需电流大于3.3mA;与Ge2Sb2Te5相比,Sn的掺杂降低了SET操作的脉冲电流宽度,提高了结晶速度,有利于提高相变存储器的存储速度.
关键词:
Sn掺杂
,
Ge2Sb2Te5
,
相变存储器
,
器件单元
,
存储性能
尹新
,
王海龙
,
龚谦
,
封松林
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2013.02.018
在有效质量近似下,利用变分法对GaxIn1-xAsyP1-y/InP阶梯量子阱中氢施主杂质束缚能进行了理论计算,并研究了外加电场和阶梯阱的高度对阶梯量子阱中氢施主杂质电子态特性的影响.计算结果显示当施主杂质位于阶梯量子阱的中心时,束缚能达到最大值；外加电场使得电子波函数从阱中心偏移,引起束缚能的非对称分布；Ga与As组分的变化使得阶梯阱的势能高度发生变化,从而明显地影响阱中氢杂质束缚能.计算结果对一些基于半导体阶梯型量子阱的光电子器件的设计制作有一定的指导意义.
关键词:
光电子学
,
束缚能
,
变分法
,
氢施主杂质
,
阶梯量子阱
孟婧
,
王海龙
,
龚谦
,
封松林
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2013.03.019
在有效质量包络函数理论下,利用变分法计算了未加电场以及加入电场后GaN/AlxGa1-xN双量子阱中施主杂质各种情况下的束缚能,讨论了双量子阱中间势垒高度、施主杂质位置对杂质束缚能的影响.给出了加入电场后施主位置不同时的束缚能和波函数,以及量子阱宽度不同时的束缚能,并且计算了未加电场和加入电场后中间势垒高度变化以及宽度不同时的束缚能.当双量子阱中间垒宽一定时,束缚能随着阱宽的变化会出现一个峰值.在阱宽一定时,随着中间垒宽度的增加,束缚能逐渐减小,并在垒宽增加到一定宽度时双量子阱情况与单量子阱情况相似,束缚能不再明显变化.计算结果对设计和研究GaN/AlxGa1-xN量子阱发光和探测器件有一定的参考价值.
关键词:
光电子学
,
束缚能
,
中性施主
,
变分法
,
打靶法
,
对称双量子阱
宋志棠
,
刘波
,
封松林
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.01.004
相变存储技术是纳电子器件发展的主流技术之一,利用其电脉冲操作下的纳秒级的可逆相变过程制备的相变存储器(PCRAM),在嵌入式与大容量存储方面有巨大的商用价值与应用前景,已成为国际大公司开发的热点,PCRAM芯片容量与技术以超常规的速度发展,同时,针对纳米尺度的可逆相变机理、纳米尺度可逆相变的有效控制、低功耗的器件结构、已成为国际上科研界的研究热点,本文对上述情况进行综述,进一步给出我国的PCRAM的研究现状、工业基础、合作状况与展望.
关键词:
相变材料
,
相变存储器
,
进展
高少文
,
曹俊诚
,
封松林
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.023
研究了一种新型的,基于金属/半导体界面等离子体激元的波导结构,从理论上对激射波长在17μm的GaAs-AlGaAs量子级联激光器的波导层设计进行了讨论,分别研究了传统的递变低折射率波导设计和等离子体激元波导设计.结果表明,利用表面等离子体激元进行波导设计,可以降低波导层厚度和提高光场限制因子,从而为长波段(如太赫兹频段)激光器提供了一种有效的波导设计方法.
关键词:
量子级联激光器
,
波导
,
表面等离子体激元
