封向东
,
祖小涛
,
王治国
,
向霞
,
牟云峰
,
邱绍宇
,
李燕伶
,
黄新泉
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2003.01.005
利用原位AES深度分析,XRD,和XPS方法研究了Ti-2Al-2.5Zr合金在300℃碱性水中氧化13000h所形成的氧化膜的结构、成分和价态,及其随深度的变化.结果表明,氧化膜是由板钛型TiO2、Al2TiO5(TiO2@Al2O3),Ti3O5,Ti2O3和TiO所组成,氧化膜由表面到基体基本是按以上顺序交迭构成.通过XPS和原位AES分析发现钛合金表面形成由TiO2,Al2TiO5(TiO2@Al2O3),Ti3O5组成的较为稳定的厚约800nm的Ti4+(TiO2)层,随深度的增加出现了Ti3+(Ti3O5,Ti2O3)和Ti2+(TiO),直至基体,氧化膜总厚度约3000nm.
关键词:
Ti-2Al-2.5Zr
,
中温氧化
,
原位AES分析
,
XPS分析
王治国
,
祖小涛
,
封向东
,
牟云峰
,
林理彬
,
李燕伶
,
黄新泉
中国有色金属学报
Ti-2Al-2.5Zr合金中注入能量为75keV的N+离子, 注入剂量为3×1017/cm2和8×1017/cm2, 注入过程样品的温度低于200℃. N+离子在Ti-2Al-2.5Zr合金中的射程借助TRIM 96程序计算为1222. 注入后的样品用X射线衍射方法(XRD)以及光电子能谱方法(XPS)进行分析. XRD衍射谱表明有新相生成, 经分析为TiN和TiO2, 但这些新相的峰非常微弱, 很难区分. XPS宽程扫描谱表明注入后样品表面主要为Ti, C, N和O. XPS关于Ti2p和N1s窄程扫描谱表明N+离子注入后在合金表面确实形成了TiN和TiO2.
关键词:
Ti-2Al-2.5Zr合金
,
N+离子注入
,
XRD
,
XPS
王治国
,
祖小涛
,
傅平
,
戴晶怡
,
封向东
功能材料
研究了热机械训练温度及定型处理温度对TiNiCu形状记忆舍金弹簧双向记忆效应的影响.研究结果表明:在纯马氏体状态进行训练时,双向记忆恢复率随训练次数的增加而增加,并在一定的训练次数后达到饱和;在纯奥氏体状态进行训练,双向记忆恢复率随训练次数迅速增加到某一最大值后随训练次数的增加而减小;在马氏体和奥氏体混合相进行训练时,双向记忆恢复率随训练次数先增加而后减小.经过400～550℃×1h/AC定型处理及热机械训练后最大形状记忆恢复率随定型处理温度升高先增大然后减小.由于马氏体再取向时引入的位错有利于双向记忆效应,热诱发和应力诱发的马氏体变体数量不同,引起了在不同状态训练诱发的双向记忆效应随训练次数变化的差异.
关键词:
TiNiCu合金
,
双向记忆效应弹簧
,
定型处理
,
热机械训练温度
王治国
,
祖小涛
,
封向东
,
邓炯
,
戴晶怡
,
傅平
航空材料学报
doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2004.03.001
利用示差扫描量热法(DSC)研究了TiNiCu双向记忆弹簧训练过程中热机械训练及退火对合金相变特征的影响.结果表明,训练前升温时,DSC曲线表现出的吸热峰由多个小峰组成,随着训练次数的增加,峰的个数减少,具有稳定双向记忆效应的试样中,升温时只出现一个锐利的峰.这是因为在训练过程中引入特定取向的位错,产生一定的应力场,使得马氏体变体的取向比较一致,相变点基本相同所致.由于位错的引入,引起相变点As和Af下降.训练不同次数的样品400℃退火后,由多个小峰组成的吸热峰合并为一个峰,这是由退火导致热机械训练诱发特定取向的位错恢复引起的.
关键词:
TiNiCu形状记忆合金
,
热机械训练
,
双向记忆效应
,
DSC
祖小涛
,
林理彬
,
卢铁城
,
封向东
,
王治国
,
霍永忠
功能材料
用能量为1.7MeV不同注量的电子辐照了TiNi形状记忆合金,通过温度控制使辐照在合金的R相状态进行,发现辐照使合金的奥氏体逆转变开始温度A 和结束温度Af升高,随着辐照注量的增加有增大的趋势,且奥氏体转变滞后也有所增大;R相转变开始点Rs和转变结束点Rf略有增加.XRD结果表明电子辐照造成了R相点阵畸变,随辐照注量的增加有增大的趋势.这一变化被认为是辐照引入的点缺陷导致了R相稳定化,并且部分缺陷钉扎了R相界面造成的.这一结果为记忆合金相变点的调节提供了新方法.
关键词:
电子辐照
,
形状记忆合金
,
R相变
王治国
,
祖小涛
,
封向东
,
余华军
,
傅永庆
航空材料学报
doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2006.04.014
利用磁控溅射的方法在单晶Si和非晶SiO2基片上制备了TiNi和TiNiCu形状记忆合金薄膜,并利用示差扫描量热法和基片曲率法研究了薄膜的相变特征及应力随温度的变化.研究结果表明450℃溅射形成的记忆合金薄膜具有良好的形状记忆效应,在微电子机械系统有很好的应用前景.TiNi薄膜降温时出现R相变,因而发生两步相变,而TiNiCu薄膜中马氏体和奥氏体间直接转变.基片以及薄膜成份对相变点有很大的影响.单晶Si片作为基片时,记忆合金薄膜和基片间有很好的结合力,而SiO2作为基片时,记忆合金薄膜容易剥落.
关键词:
TiNi基形状记忆合金薄膜
,
相变特征
,
示差扫描量热法(DSC)
,
基片曲率法
封向东
,
王治国
,
祖小涛
,
戴晶怡
稀有金属材料与工程
对TiNi形状记忆合金N+离子注入后进行了XRD分析以及XPS分析.N+离子注入的能量为75keV,束流为16.3μA/cm2,注量分别为3×1017N+cm-2和8×1017N+cm-2,注入过程中温度低于200℃.XRD和XPS分析结果都表明:N+离子注入试样后以TiN的形式存在;且由于离子注入时的真空度较低,在注入层的表面也形成了少量的TiO2;由于Ni的溅射系数比Ti的大,在试样XPS宽程扫描图中,没有出现Ni的信号.
关键词:
TiNi形状记忆合金
,
N+离子注入
,
TiN
