韩建强
,
王小飞
,
刘珍
,
宋美绚
,
李青
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.02.012
等离子增强化学气相淀积法(PECVD)淀积的氮化硅薄膜具有沉积温度低、生长速率高、均匀性好等优点,在微电子机械系统(Micro-Electromechanical System,MEMS)中的应用越来越广泛,研究其应力状态对研制MEMS器件和系统具有重要意义.本文在大量实验的基础上,淀积出高压应力、低压应力、微应力、低张应力和高张应力五种不同应力状态的氮化硅薄膜,并对残余应力与SiH4/NH3流量比例、射频功率之间的关系进行了说明.
关键词:
微电子机械系统
,
氮化硅
,
等离子化学气相淀积
,
残余应力
