徐杰
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高丽
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马骏驰
,
宋秋红
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王皓辉
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.06.042
采用射频磁控溅射方法在Si(100)衬底沉积 Ni-Mn-In 磁性形状记忆合金薄膜.系统研究了退火温度对Ni51．33 Mn33．23 In15．43薄膜显微组织结构和磁性能的影响.研究表明,退火温度为873 K时薄膜已完全结晶,随退火温度增加,薄膜表层颗粒细化.退火后薄膜的X射线衍射图表明,Ni51．33 Mn33．23 In15．43薄膜均由立方 L21奥氏体母相和14M调制马氏体相组成.Ni51．33 Mn33．23 In15．43薄膜母相晶格常数、马氏体相的晶胞体积和薄膜平均晶粒尺寸均随退火温度增加而增大.Ni51．33Mn33．23In15．43磁性记忆合金薄膜室温初始磁化曲线表明,在1．8 T 磁场下,薄膜均未达到磁饱和.随退火温度增加,薄膜的初始磁化强度先增加后减小,在退火温度为973 K 时达到最大.室温磁滞回线结果表明,Ni51．33 Mn33．23 In15．43薄膜的矫顽力较小,呈现出典型的软磁性.
关键词:
铁磁形状记忆合金
,
N i-Mn-I n薄膜
,
磁控溅射
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显微结构
,
磁性能
