王跃
,
李全保
,
韩庆林
,
马庆华
,
宋炳文
,
介万奇
,
周尧和
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.01.010
为选择合理的晶体生长速度,在用改进Bridgman法生长直径为φ19mm的HgCdTe(x=0.21)晶体过程中,对正在生长的单晶体及熔体进行淬火,以观察其固液界面形态.初步的实验结果表明:在2mm/d及9mm/d的两种生长速度条件下,石英安瓶中的固液界面形态均为凹形抛物面,但其凹陷深度分别为10mm和14mm.较低的晶体生长速度条件下,凹陷深度较小,固液界面形态较平.由实验和讨论得知,宜选择较低的晶体生长速度用改进Bridgman法生长HgCdTe晶体.
关键词:
布里奇曼法
,
HgCdTe晶体
,
晶体生长速度
,
固液界面形态
,
凹陷深度
王静宇
,
刘朝旺
,
杨玉林
,
宋炳文
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1999.01.012
通过优化GaAs表面制备工艺、反应管清洁处理工艺、GaAs表面预处理工艺、生长条件及优选GaAs衬底方向等措施,在水平与常压MOVPE装置中,用二乙基锌(DEZn)、二甲基镉(DMCd)、二异丙基碲(DiPTe) 和元素汞,采用互扩散多层工艺(IMP),在GaAs衬底上生长出了MCT/CdTe/GaAs,比较了采用优化工艺前后薄膜的电子显微镜形貌相,表明采用优化工艺后薄膜的表面形貌有了明显改进.
关键词:
MOVPE
,
CdTe薄膜
,
表面形貌
