宋淑梅
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杨田林
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辛艳青
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姜丽莉
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李延辉
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庞志勇
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林亮
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韩圣浩
功能材料
采用射频磁控溅射法,室温下在玻璃衬底上制备出了具有良好附着性、低电阻率和高透过率的新型透明导电薄膜YZO(ZnO掺杂Y2O3简称YZO).在薄膜厚度为600nm的情况下,研究了薄膜电学特性随溅射功率和溅射气压的变化情况.X射线衍射谱表明YZO薄膜是多晶膜,具有ZnO的六角纤锌矿结构,最佳取向为(002)方向.最佳溅射条件下制备的薄膜电阻率为8.71×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透过率达到92.3%,禁带宽度为3.57eV.
关键词:
透明导电薄膜
,
YZO
,
射频磁控溅射
,
电阻率
,
透过率
杨田林
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张之圣
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宋淑梅
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辛艳青
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姜丽莉
,
李延辉
,
韩圣浩
功能材料
采用射频磁控溅射和离子束溅射联合设备在玻璃衬底上制备出了具有良好附着性、低电阻率和高透过率的GZO/Ag/GZO(ZnO掺杂Ga_2O_3简称GZO)多层薄膜.X射线衍射谱表明GZO/Ag/GZO多层薄膜是多晶膜,GZO层具有ZnO的六角纤锌矿结构,最佳取向为(002)方向;Ag层是立方结构,具有(111)取向.在GZO层厚度一定的情况下,研究了Ag层厚度的变化对多层膜结构以及光电特性的影响.研究发现,当Ag层厚度为10nm时,3层膜的电阻率为9×10~(-5)Ω·cm,在可见光范围内平均透过率达到89.7%,薄膜对应的品质因子数值为3.4×10~(-2)Ω~(-1).
关键词:
GZO/Ag/GZO
,
多层膜
,
溅射方法
,
透明导电膜
梁朝旭
,
李帅帅
,
王雪霞
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李延辉
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宋淑梅
,
杨田林
人工晶体学报
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了IGZO薄膜,研究了IGZO薄膜的性质和制备工艺条件.重点研究了射频功率对IGZO薄膜的结构特性、光电特性的影响以及厚度对薄膜电阻率的影响.制备的IGZO薄膜最高品质因子为1.94×10-3Ω-1,对应的薄膜电阻率和透过率分别为2.6×10-3Ω·cm和87.2％.
关键词:
磁控溅射
,
IGZO
,
非晶薄膜
,
透明导电膜
杨田林
,
宋淑梅
,
辛艳青
,
李延辉
,
杜桂强
,
韩圣浩
人工晶体学报
室温下采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了具有良好附着性、低电阻率和高透过率的新型ZnO∶Y (ZnO掺杂Y2O3,简称ZnO∶Y)透明导电薄膜.研究了薄膜厚度对ZnO∶Y薄膜结构、光电特性的影响.结果表明:不同厚度的ZnO∶Y薄膜均为多晶薄膜,具有ZnO六角纤锌矿结构,最佳取向为(002)方向.随薄膜厚度增加,其电阻率减小,当薄膜厚度增至800 nm时,其电阻率为8.36×10-4 Ω·cm,迁移率为15.3 cm2 ·V-1 ·s-1,载流子浓度为4.88×1020 cm-3.不同厚度的薄膜在可见光范围内平均透过率均为90％以上,当薄膜厚度从200 nm增加到800 nm时,薄膜禁带宽度从3.68 eV减小到3.61 eV.
关键词:
磁控溅射
,
ZnO∶Y薄膜
,
电阻率
,
透过率
童杨
,
王昆仑
,
刘媛媛
,
李延辉
,
宋淑梅
,
杨田林
人工晶体学报
在室温下采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了200 nm厚的铟锡锌氧化物(ITZO)薄膜,研究了不同功率下薄膜结构、形貌、光学和电学性能的变化规律.结果表明,ITZO薄膜为非晶薄膜并且有着良好的光电特性,其平均光学透过率超过了84％,载流子霍尔迁移率高达24 em2·V-1·s-1.随着射频功率从50 W上升到100 W,薄膜的光学带隙从3.68 eV逐渐增加到3.76 eV.研究发现,薄膜的电学性能强烈依赖于射频功率.随着功率的增加,薄膜的电学性能呈现出先变好后变差的变化规律.当射频功率为80 W时,ITZO薄膜拥有最佳的电学性能,其电阻率为3.80×10-4Ω·cm,载流子浓度为6.45×1020 cm-3,霍尔迁移率为24.14 cm2·V-1· s-1.
关键词:
铟锡锌氧化物薄膜
,
光学带隙
,
光电特性
,
射频功率
宋淑梅
,
宋玉厚
,
杨田林
,
贾绍辉
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辛艳青
,
李延辉
人工晶体学报
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了具有不同厚度ITO同质缓冲层的ITO薄膜.利用X射线衍射、半导体特性测试仪、紫外-可见光分光光度计等测试了薄膜的特性.结果表明:与单层ITO薄膜相比,具有厚度16nm ITO同质缓冲层的ITO薄膜的电阻率下降了30％,薄膜的电阻率达到2.65×10-4 Ω·cm,可见光范围内的平均透过率为91.5％.
关键词:
ITO
,
同质缓冲层
,
电阻率
,
透过率
