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高压n LDMOS漂移区的设计研究

宋李梅 , 王文博 , 杜寰 , 夏洋

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.023

讨论了漂移区长度及注入浓度等关键参数对于漏结击穿电压的影响,并详细分析了矩形版图结构的LDMOS器件中,远离沟道一侧的漂移区阱长度对于击穿特性的影响.分析了矩形版图结构的LDMOS器件中,远离沟道一侧的漂移区阱长度对于击穿特性的影响.运用RESURF技术对 于高压LDMOS的漂移区进行设计和优化.研制出耐压170V的nLDMOSFET.并通过试验结果证明了分析的正确性.

关键词: RESURF , LDMOS , 击穿电压