沈辉
,
潘晓明
,
宋元伟
,
奚益明
,
王评初
无机材料学报
报道了一种在较低温度一次烧结制备的具有高介电常数、较低损耗和良好显微结构的晶界层电容器材料(简称ＧＢＢＬＣ)．材料的有效介电常数高达３７×１０４,损耗可控制在４%,晶粒５μｍ左右,ΔＣ/Ｃ＜±３%(２０~１５０℃),频率色散较小,且制备工艺简单．
关键词:
SrTiO3
,
GBBL capacitor
沈辉
,
潘晓明
,
宋元伟
,
奚益明
,
王评初
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.03.038
报道了一种在较低温度一次烧结制备的具有高介电常数、较低损耗和良好显微结构的晶界层电容器材料(简称GBBLC).材料的有效介电常数高达37×104,损耗可控制在4%,晶粒5μm左右,△C/C<±3%(20～150℃),频率色散较小,且制备工艺简单.
关键词:
SrTiO3
,
GBBL电容器
方平安
,
顾辉
,
宋元伟
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2002.01.012
采用高空间分辨率扫描透射电镜(STEM)对掺杂(Fe3+、Nb5+)SrTiO3晶界进行了观察,并利用采集的电子能量损失谱(EELS)对晶界组成进行了分析.结果表明,掺杂Fe的SrTiO3陶瓷晶界存在1 nm左右的非晶膜,同晶体内部相比晶界缺Sr;三叉晶界为钛基玻璃相,Ti、O及Fe含量明显高于晶界.掺Nb的SrTiO3陶瓷晶界同晶粒相比同样缺Sr,三叉晶界主要以SiO2非晶相为主.Fe3+、Nb5+对Ti4+的替位及在晶界的偏析引起SrTiO3晶格畸变是导致晶界组成变化的主要原因.
关键词:
EELS
,
SrTiO3
,
晶界
,
掺杂
,
偏析
