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郭大刚 , 刘正堂 , 宋健全 , 耿东生
兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2002.03.010
采用磁控溅射方法成功地在ZnS衬底上制备了磷化镓(GaP)薄膜,并系统地研究了射频功率、气体流量、工作气压、衬底温度等主要工艺参数对GaP膜沉积速率的影响规律.实验表明,随着射频功率、气体流量的增加,沉积速率逐渐增大;工作气压增大,沉积速率降低;衬底温度对沉积速率影响不太明显.
关键词: 红外窗口 , 硫化锌 , 磷化镓 , 磁控溅射
