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基于ECR-PEMOCVD生长的稀磁半导体(Ga,Mn)N的特性

宋世巍 , 秦福文 , 吴爱民 , 何欢 , 王叶安 , 姜辛 , 徐茵 , 顾彪

功能材料

利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出Mn含量约为3%的(Ga,Mn)稀磁半导体薄膜.利用反射高能衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)表征(Ga,Mn)N薄膜的表面形貌和结构特征.(Ga,Mn)N薄膜具有良好的(0002)择优取向和纤锌矿结构,表面形貌是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成.光致发光(PL)测量发现3.27eV附近出现施主-受主对(DAP)发光峰.超导量子干涉仪(SQUID)测量表明薄膜在室温下具有铁磁性,没有发现超顺磁性和自旋玻璃态,居里温度可达400K.

关键词: (Ga,Mn)N , ECR-PEMOCVD , 室温铁磁性 , 居里温度

ZnO:Al衬底上低温生长GaN薄膜

杨智慧 , 秦福文 , 吴爱民 , 宋世巍 , 刘胜芳 , 陈伟绩

人工晶体学报

利用射频磁控溅射在普通玻璃上制备了(0002)择优取向的ZnO:Al薄膜.采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在ZnO:Al薄膜衬底上沉积了厚度为320 nm的GaN薄膜.利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光透射谱等表征方法,研究了沉积温度对GaN薄膜的结晶性、表面形貌和透射率的影响.

关键词: 掺铝氧化锌衬底 , GaN薄膜 , 低温生长

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