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超声辅助镍粉绿色还原制备石墨烯

王博 , 李松梅 , 刘建华 , 于美 , 安军伟

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2014.01.009

提出一种室温下利用镍粉还原氧化石墨制备石墨烯的新方法.采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱(FT-IR)、拉曼光谱(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对氧化石墨还原后的产物进行表征.结果表明:氧化石墨中含氧基团基本被去除,生成的石墨烯的ID/IG达到了1.34,当镍与氧化石墨质量比值为2时,还原效果较为理想.这种方法为低成本、高效、环保、大规模地制备高品质石墨烯提供可能性.

关键词: 石墨烯 , , 还原 , 超声辅助

石墨烯-银纳米粒子复合材料的制备及表征

于美 , 刘鹏瑞 , 孙玉静 , 刘建华 , 安军伟 , 李松梅

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00089

以无毒、绿色的葡萄糖为还原剂, 在没有稳定剂、温和的液相反应条件下, 同时还原氧化石墨和银氨溶液中的银氨离子, 原位制备石墨烯-银纳米粒子复合材料. 采用X射线衍射、红外吸收光谱、拉曼光谱、扫描电镜和透射电子显微镜对所制备的石墨烯-银纳米粒子复合材料进行了表征. 结果表明: 氧化石墨和银离子在反应过程中同时被葡萄糖还原, 银纳米粒子均匀分布于石墨烯片层之间, 生成的银纳米粒子中大多数存在着孪晶界, 银纳米粒子的大小和分布受硝酸银用量的影响, 在合适的银离子浓度下, 负载在石墨烯片层上的银纳米粒子的粒径分布集中在25 nm左右; 复合材料中石墨烯的拉曼信号由于银粒子的存在增强了7倍.

关键词: 石墨烯 , Ag nanoparticles , composites , Raman spectrum

纳米氧化铝杂化聚酰亚胺薄膜的制备与性能研究

范勇 , 安军伟 , 周宏 , 刘伟

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2007.02.001

由铝的纳米氧化物溶胶制得纳米氧化铝杂化的聚酰亚胺(PI)薄膜.对PI薄膜的耐电晕性进行了测试,结果表明氧化铝质量百分数为23%的PI薄膜在棒板电极系统、气隙间距0.1 mm、50 Hz、90 MV/m条件下耐电晕时间达120h以上.比纯PI薄膜提高30倍以上;使用介电谱仪测试其介电常数和介质损耗;采用FTIR、SEM分别表征了杂化PI薄膜与纯PI薄膜的化学结构和表面形貌.

关键词: 聚酰亚胺 , 介电性能 , 耐电晕 , 氧化铝

纳米氧化铝改性无溶剂绝缘漆耐电晕性能的研究

范勇 , 刘伟 , 周宏 , 安军伟

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2007.03.008

为了改进一种聚酯亚胺无溶剂绝缘浸渍漆的耐电晕性能,加入自制的纳米氧化铝改性.对漆膜的介质损耗tanδ测试表明,随着纳米氧化铝含量的增加,漆膜的介质损耗逐渐升高;用自制的耐电晕测试设备对改性漆膜的耐电晕时间进行测试表明,改性后漆膜耐电晕时间明显提高;通过扫描电镜观察表明,纳米氧化铝粒子很均匀的分散于绝缘漆中;但纳米氧化铝对漆的粘度和漆膜的韧性有一些不利影响.

关键词: 无溶剂浸渍漆 , 纳米氧化铝 , 耐电晕

石墨烯-银纳米粒子复合材料的制备及表征

于美 , 刘鹏瑞 , 孙玉静 , 刘建华 , 安军伟 , 李松梅

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00089

以无毒、绿色的葡萄糖为还原剂,在没有稳定剂、温和的液相反应条件下,同时还原氧化石墨和银氨溶液中的银氨离子,原位制备石墨烯-银纳米粒子复合材料.采用X射线衍射、红外吸收光谱、拉曼光谱、扫描电镜和透射电子显微镜对所制备的石墨烯-银纳米粒子复合材料进行了表征.结果表明:氧化石墨和银离子在反应过程中同时被葡萄糖还原,银纳米粒子均匀分布于石墨烯片层之间,生成的银纳米粒子中大多数存在着孪晶界,银纳米粒子的大小和分布受硝酸银用量的影响,在合适的银离子浓度下,负载在石墨烯片层上的银纳米粒子的粒径分布集中在25 nm左右;复合材料中石墨烯的拉曼信号由于银粒子的存在增强了7倍.

关键词: 石墨烯 , 银纳米粒子 , 复合材料 , 拉曼光谱

石墨烯接枝聚吡咯复合物的原位合成及其电容特性研究

刘建华 , 张施露 , 于美 , 安军伟 , 李松梅

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12289

采用化学接枝法原位合成了石墨烯接枝聚吡咯复合物,对复合物的结构、形貌、导电率以及比电容值进行了测试和表征.结果表明制备的石墨烯接枝聚吡咯复合物中,石墨烯与吡咯单体间产生了紧密的化学键结合,吡咯在石墨烯层片上均匀分布,石墨烯片层间的吡咯大量成链并与石墨烯层片相互连接,测得复合物的电导率为3.32 S/cm,比电容值可以达到284 F/g,相比于纯聚吡咯的186 F/g的比电容值提高了52%,具有优异的电容特性.

关键词: 石墨烯 , 聚吡咯 , 原位合成 , 复合物 , 比电容值

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