马紫微
,
谢二庆
,
林洪峰
,
宁长春
,
刘肃
,
贺德衍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.003
利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiCN薄膜,并利用X射线衍射(XRD)、红外吸收谱(FTIR)和X射线光电子谱(XPS)对薄膜的结构、成份及化学键合状态进行了分析.结果表明,室温制备的SiCN薄膜为非晶状态,并形成了Si-C、Si-N和C-N键;而在高温下(衬底温度为800oC),薄膜中含有SiCN的晶体成分.此外,还利用原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面形貌进行了研究,并进一步研究了样品的场发射性能.在场强为24V/μm时,最大发射电流可达3.3mA/cm2.
关键词:
SiCN薄膜
,
XRD
,
IR
,
XPS
,
AFM
,
场发射
