王茹
,
张正选
,
俞文杰
,
毕大炜
,
陈明
,
刘张李
,
宁冰旭
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.02.017
本研究工作采用硅离子注入和高温退火工艺对SIMOX材料的BOX层进行总剂量辐射加固.辐射实验结果证明了该加固方法的有效性.PL谱和HRTEM图像显示了硅离子注入及退火工艺在材料的BOX层中引入了Si纳米晶,形成电子陷阱能级,有效俘获电子,从而提高了材料BOX层的抗总剂量辐射能力.
关键词:
绝缘体上硅
,
注氧隔离
,
总剂量辐照
,
纳米晶
