肖虎
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孟宪权
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朱振华
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金鹏
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刘峰奇
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王占国
人工晶体学报
利用离子注入法在一块Si(001)衬底上注入了In+和As+,注入能量分别为210 keV,150 keV,注入剂量6.2×1016cm-2,8.6×1016 cm-2,另一块Si(001)衬底上注入Ga+和Sb+,注入能量分别为140 keV,220 keV,注入剂量分别为8.2×1016 cm-2,6.2×1016 cm-2,然后对样品分别经过一次退火和二次退火处理制备出了Si基量子点材料.用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了退火后量子点截面像,用PL探测量子点的光致发光谱,发现经二次退火生长的量子点微晶格结构和Si衬底损伤的修复均明显优于一次退火.
关键词:
二次退火
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量子点
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离子注入
郑毅
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孟宪权
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刘文军
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胡明
功能材料
采用水热方法,以氯化锌和氨水为反应溶液,在铜和硅等不同基底上制备出不同特征的ZnO纳米棒和纳米管阵列.借助SEM和xRD等手段对其结构和形貌进行了分析研究.在常温下该样品表现出很好的光致发光性能.实验表明,在水热法中ZnO纳米材料的形貌、取向、排列等特征与衬底的选择有直接的关系.通过分析ZnO纳米管的形成过程,提出了一种新的由ZnO纳米棒在低温下溶解制得ZnO纳米管的生长机理.
关键词:
水热法
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氧化锌
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纳米棒
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纳米管
,
光致发光
薛霏
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孟宪权
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刘义鹤
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.01.012
在 LSS(liquid-solid-solution)多相体系中制得了 CdSe、CdSe/ZnS 量子点和 Eu 掺杂的量子点.利用 TEM、XRD、PL、EDS 对产物进行了表征.TEM 结果显示所得的量子点形貌规则、尺寸均匀.XRD 结果显示 CdSe/ZnS 量子点呈六方晶系.PL 结果对比表明,合适厚度壳层 ZnS 包覆后的 CdSe 量子点发光效率明显提高,发光峰的半高宽有大幅度提高,并分析了所得的结果.掺杂稀土元素 Eu 后,CdSe(Eu)量子点在红光区域产生了新的发光峰；而 CdSe(Eu)/ZnS 量子点在红光区域内没有出现发光峰,并阐明了这种现象的原因.
关键词:
CdSe/ZnS
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量子点
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稀土掺杂
