李春广
,
孙霞光
,
邓胜涛
,
管军强
,
肖成举
,
万晓波
,
朱思华
,
李建峰
,
杜社军
,
王天成
,
张丰收
,
刘向宏
,
冯勇
稀有金属材料与工程
采用Rod Restack Process (RRP)研制了单根线长大于1500 m的高场磁体用Nb3Sn股线,股线选用Nb作为扩散阻隔层,分布于各亚组元周围.在热处理时Nb阻隔层不但可以阻止Sn向稳定体Cu区的扩散,防止稳定体的Sn扩散污染,确保股线具有较高的剩余电阻率(RRR),同时,靠近Sn源内侧的Nb参与固态扩散反应生成A15相Nb3Sn,贡献临界电流.在股线的制备过程中,采用Nb-47％Ti(质量分数)芯代替部分Nb芯的方式添加元素Ti,达到了Ti元素添加目的,该方法因为使用了已经商业化的Nb-47％Ti而有效控制了制作成本.对该股线进行热处理以及超导性能测试研究表明:640℃,60 h热处理条件下,股线在12T,4.2 K,0.1 μV/cm下的Ic为514A,股线的RRR为148,具有良好的绝热稳定性；在650℃,100 h下股线的Ic为599 A,RRR=3.77.股线扩散阻隔层以及添Ti方式的成功选择,为获得长线打下了基础,为股线性能的初步研究及后续的实验提供了直接参考.
关键词:
高场磁体
,
RRP
,
Nb3Sn股线
张炳森
,
于晓明
,
孙霞光
,
李茂林
,
张彩碚
,
祁阳
金属学报
利用硅胶吸附--解吸臭氧原理自制了臭氧浓缩装置,
通过此装置制备的高浓度臭氧作为分子束外延制备Bi系氧化物薄膜的氧化源.
在臭氧浓缩装置中, 硅胶温度保持在-85℃左右, 工作6 h,
可获得浓度(摩尔分数)高于95%的臭氧.
当臭氧浓缩装置中压强保持在1.3×10 3 Pa, 该臭氧浓度可维持5
h以上. X射线衍射结果表明,
制备的高浓度臭氧在高真空条件下可将Cu氧化成CuO,
并以此为氧化源利用分子束外延在MgO(100)衬底上制备了较高质量的
Bi2Sr2CuO6+x和Bi2Sr2CaCu2O8+x薄膜.
关键词:
臭氧
,
concentrating apparatus
,
Bi-based oxide thin films
,
molecular beam epitaxy（MBE）
张炳森
,
于晓明
,
孙霞光
,
李茂林
,
张彩碚
,
祁阳
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2008.06.002
利用硅胶吸附一解吸臭氧原理自制了臭氧浓缩装置,通过此装置制备的高浓度臭氧作为分子束外延制备Bi系氧化物薄膳的氧化源.在臭氧浓缩装置中,硅胶温度保持在-85℃左右,工作6 h,可获得浓度(摩尔分数)高于95%的臭氧,当臭氧浓缩装置中压强保持在1.3×103Pa,该臭氧浓度可维持5 h以上.X射线衍射结果表明,制备的高浓度臭氧在高真空条件下可将Cu氧化成CuO,并以此为氧化源利用分子束外延在MgO(100)衬底上制备了较高质量的Bi2Sr2CuO6+x和Bi2Sr2CaCu2O8+x薄膜.
关键词:
臭氧
,
浓缩装置
,
Bi系氧化物薄膜
,
分子束外延
