于云
,
史廷春
,
孙芳芳
,
潘金德
,
杨勇
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.21.018
增材制造是基于离散堆积思想实现原型或产品零件的快速制造。作为三大材料之一的无机非金属材料在医疗、航天航空、汽车、建筑、工艺品等众多领域都具有无可比拟的巨大应用前景，为了能够快速制造形状任意复杂的器件，无机非金属材料的增材制造成为当下研究的热点。从增材制造技术类型、材料等方面详细阐述国内外无机非金属材料增材制造研究水平与发展状况，对比几种常用的无机非金属材料，重点是针对几种常见的陶瓷材料以及用于砂型铸造材料等成形特点及面临问题进行阐述，阐明了目前无机非金属材料增材制造存在的迫切需要解决的关键性问题，并深入分析了材料处理工艺、3 DP/SLS/SLM三维成形工艺、后处理工艺对成形件的质量和性能的影响作用，最后对宝玉石材料的增材制造提出一些展望。
关键词:
增材制造
,
无机非金属材料
,
材料处理工艺
,
三维成形工艺
,
后处理工艺
,
三维打印
,
选择性激光烧结
,
选择性激光熔融
季伶俐
,
贺蕴秋
,
孙芳芳
材料科学与工程学报
本文采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）过程和旋涂技术,通过高温烧结,得到了Zn-Sn-O系统的薄膜。结合干凝胶的差示扫描热分析（TG-DSC）和薄膜的X射线衍射分析（XRD）,研究了干凝胶在烧结过程中发生的反应。通过控制溶胶的组成和薄膜烧结温度,得到了较纯净的Zn2SnO4晶相薄膜和ZnSnO3晶相薄膜。ZnSnO3晶体薄膜的电阻率显著低于Zn2SnO4晶体薄膜;N2气氛热处理后,ZnSnO3薄膜的电阻率升高而Zn2SnO4薄膜的电阻率大幅降低;当[Zn]/[Zn＋Sn]=50.3at%时,薄膜的晶相仍为ZnSnO3,其电阻率较[Zn]/[Zn＋Sn]=50.0at%的薄膜降低,约为8.0×102Ω.cm-1。通过上述两种晶相薄膜的X射线光电子能谱分析（XPS）,探讨了这两种晶体不同的导电机理：Zn2SnO4晶体通过其中的氧空位导电,而ZnSnO3晶体则以间隙阳离子导电。紫外-可见光透过率（UV-Vis）分析表明：Zn2SnO4和ZnSnO3晶体薄膜在400~900nm的可见光波段的透过率可达80%以上。
关键词:
Zn2SnO4
,
ZnSnO3
,
溶胶-凝胶法
,
导电性
,
透明性
张霞
,
焦宝祥
,
孙芳芳
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.06.004
采用高温固相合成法制备了ZnO基荧光粉,并利用XRD、SEM等方法分析表征样品.实验结果表明,以氯化铵为助剂,在900℃煅烧2 h制得了晶粒较小晶形完整分散性较好的ZnO:Zn2+荧光粉,用387 nm的紫外光激发,获得了较宽的绿光发射;掺入Eu3+离子,在800℃煅烧合成了ZnO:Eu3+荧光粉,说明Eu3+离子掺杂有降低烧结温度的作用,另外用465 nm光激发ZnO:Eu3+荧光粉获得了612 nm和700 nm的红光发射.
关键词:
材料
,
荧光粉
,
ZnO:Zn2+
,
ZnO:Eu3+
,
荧光性能
