孙聂枫
,
杨光耀
,
吴霞宛
,
曹立新
,
赵权
,
郭维廉
,
赵有文
,
孙同年
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.004
在未掺杂和掺Fe的LEC-In中用FT-IR测试到VInH4的存在.已经证实该缺陷在LEC-InP中普遍存在.经研究表明在掺Fe的InP中的VInH4浓度比在未掺杂中的高.而在同一晶锭中其浓度分布是头部高,尾部低.讨论了其对未掺杂InP的电子特性和掺Fe的InP的补偿的影响,及其对InP热稳定性的影响.
关键词:
InP
,
VInH4
,
补偿
杨帆
,
杨瑞霞
,
陈爱华
,
孙聂枫
,
刘志国
,
李晓岚
,
潘静
人工晶体学报
采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟(InP)熔体,并利用液封直拉法(LEC)生长出了掺硫及掺铁单晶材料.分别用快速扫描光荧光谱技术(PL-Mapping)、扫描电镜和傅里叶红外光谱对富磷单晶样品进行了研究.结果表明,在富磷条件下拉制的InP单晶会出现孔洞,致使在孔洞周围及远离区域晶体结晶质量和晶格常数存在差异,并且孔洞的存在会造成杂质分布的不均匀性.由于孔洞附近区域具有较高浓度的缺陷,而缺陷对杂质的吸引作用致使孔洞附近区域杂质浓度较远离孔洞区域有所增加.
关键词:
磷化铟
,
富磷
,
液封直拉法
,
缺陷
陈爱华
,
杨瑞霞
,
杨帆
,
刘志国
,
孙聂枫
人工晶体学报
运用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的InP熔体,并利用液封直拉法(LEC)生长出了3英寸富磷掺Fe的InP单晶.运用高分辨率X射线衍射技术、偏振差分透射谱测试技术、光致荧光谱技术对富磷掺Fe的InP晶片进行了结构、应力及发光特性测试.结果表明,晶格的应变导致了PL发光峰峰位的变化,晶格应变与残留应力测试结果相一致,说明材料生长过程中的热应力是导致样品晶格常数分布不均匀的主要因素.
关键词:
磷化铟
,
液封直拉法
,
晶格应变
,
残留应力
黄清芳
,
王阳
,
刘志国
,
杨瑞霞
,
孙同年
,
孙聂枫
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.03.012
磷化铟单晶生长是一种液相转变为固相的过程,晶体生长过程中的热场条件直接影响晶体的热应力、电学均匀性、位错密度、晶片的几何参数.通过实验和理论分析研究热场条件对InP晶体生长的影响,通过晶锭退火、晶片退火、位错测量、应力测量等实验研究、分析位错密度与残余热应力的关系和减除热应力的方法.在InP晶体生长阶段,熔体温度、炉内气体压强、氧化硼厚度、熔体及晶体的形状、炉体结构、加热功率等都是影响晶体生长过程中热场分布的因素.这些因素共同导致晶体内部产生径向和轴向温度梯度,从而产生热应力.晶体长时间处于温度梯度很小的高温状态,能使其应力得到释放并且内部的晶格畸变也会发生变化.通过后期适当的高温热处理可以使晶体内部残余热应力得到释放.采用金相显微镜观察InP样片观察到的位错呈现“十”字状分布,中心和边缘位错低,两者之间的“十”字部分位错高,与晶片残余应力分布基本保持一致.晶体生长过程中,热应力大于临界剪切应力导致的晶格滑移使InP的晶格结构产生畸变,导致晶体内部形成位错.
关键词:
InP
,
单晶
,
热场
,
热应力
,
位错
