欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(32)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

锆钛酸铅/高分子复合膜的吸声特性

成国祥 , 沈锋 , 卢涛 , 万怡灶 , 孙清池 , 刘静 , 姚康德

高分子材料科学与工程

以锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷微粒为填料,分别与丙烯酸酯共聚物和环氧树脂复合制得PZT/高分子(PZT//P)复合膜.用驻波管法测定了复合膜的吸声特性.用动态粘弹仪测定了复合膜的阻尼特性.实验结果表明,在声频375~2000 Hz范围内,在聚合物中加入PZT微粒并使其极化产生压电性,可使其吸声性能增加.动态粘弹实验结果表明,压电阻尼效应还取决于产生的电荷能否及时被消耗.

关键词: PZT/高分子复合膜 , 吸声特性 , 压电阻尼效应

PNS-PZ-PT压电陶瓷烧结和性能的研究

李建华 , 孙清池

稀有金属材料与工程

对Pb(Ni1/3Sb2/3)-PbZrO3-PbTiO3陶瓷烧结和压电性能的研究表明:当含有48mol%PbTiO3和少于10mol%Pb(Ni1/3Sb2/3)的粉体在850℃下煅烧2 h,得到单一钙钛矿结构,但是如果Pb(Ni1/3Sb2/3)组成在12mol%~14mol%之间时,则三方相和四方相共存.所以材料的准同相界在Pb(Ni1/3Sb2/3)=12mol%,PbZrO3=40mol%,PbTiO3=48mol%.当该组分在1260℃至1280℃烧结时得到的烧结物密度最大为7.8g/cm3.扫描电镜结果表明在1280℃时材料烧结气孔率最小.当处于准同相界的组分在1280℃烧结时,材料的机电耦合系数Kp和机械品质因数Qm分别达到最大值0.488和最小值292.5.

关键词: 压电陶瓷 , 钙钛矿 , 准同相界

NiW改性PMSZT压电陶瓷的性能研究

陆翠敏 , 孙清池 , 徐明霞 , 薛迎飞

稀有金属材料与工程

研究了NiW含量对PMS-xPNW-(0.95-x)PZT体系的相组成、显微结构、电性能的影响.结果发现:900℃合成温度下可以制备出完全的PNW-PMS-PZT钙钛矿压电陶瓷.随着NiW含量的增加,物相由四方相和三方相共存的准同型相界处过渡到三方相,居里温度下降.1090℃的烧结温度下,x=0.01时,PMS-xPNW-(0.95-x)PZT陶瓷性能优良,ε33T/ε0=1560,tanδ=0.002,Kp=0.613,Qm=1275,d333=365 pC/N.谐振频率变化率随温度变化由正到负.该体系适用大功率压电材料.

关键词: PMS-PNW-PZT , 相组成 , 显微结构 , 电性能 , 温度稳定性

PNS-PZ-PT压电陶瓷烧结和性能的研究

李建华 , 孙清池

稀有金属材料与工程

对Pb(Ni1/3Sb2/3)-PbZrO3-PbTiO3陶瓷烧结和压电性能的研究表明:当含有48mol%PbTiO3和少于10mol%Pb(Ni1/3Sb2/3)的粉体在850℃下煅烧2 h,得到单一钙钛矿结构,但是如果Pb(Ni1/3Sb2/3)组成在12mol%~14mol%之间时,则三方相和四方相共存.所以材料的准同相界在Pb(Ni1/3Sb2/3)=12mol%,PbZrO3=40mol%,PbTiO3=48mol%.当该组分在1260℃至1280℃烧结时得到的烧结物密度最大为7.8g/cm3.扫描电镜结果表明在1280℃时材料烧结气孔率最小.当处于准同相界的组分在1280℃烧结时,材料的机电耦合系数Kp和机械品质因数Qm分别达到最大值0.488和最小值292.5.

关键词: 压电陶瓷 , 钙钛矿 , 准同相界

镨掺杂PZT二元系压电陶瓷性能研究

陆翠敏 , 孙清池 , 徐明霞 , 王俐聪

稀有金属材料与工程

以固态氧化物为原料,采用传统方法制备镨掺杂PZT压电陶瓷.通过XPS,XRD以及SEM方法分析组成为Pb1-1.5xPrxZr0 54Ti0.46O3(x=0.02~0.08)压电陶瓷的元素价态,相组成以及显微结构.结果发现:合成温度900℃,可以得到钙钛矿结构.在镨掺杂为3 mol%的准同型相界附近三方相和四方相并存,综合性能达最佳值:ε33T/εo=2000,d33=418 pC/N,Kp=52.9%,Qm=75.随着镨掺杂量的增加,Pr-PZT陶瓷的居里温度降低.

关键词: 压电陶瓷 , 元素价态 , 相组成 , 显微结构 , 准同型相界

烧结温度对PMSZT压电陶瓷性能的影响

何杰 , 孙清池 , 刘培祥 , 李红元

稀有金属材料与工程

探讨了烧结温度对SiO2掺杂锑锰锆钛酸铅Pb(Mn1、3Sb2、3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(简称PMSZT)压电陶瓷性能的影响.通过X射线衍射及扫描电镜分析Pb(Mn1、3Sb2、3)0.05Zr0.47Ti0.48O3+0.1%(SiO2)(质量分数)陶瓷的相组成和显微结构.结果表明:合成温度900℃时,可以得到钙钛矿结构.对于适量SiO2掺杂PMSZT压电陶瓷,可以在1100~1150℃时烧结实现致密化,并且介电压电性能较好,当烧结温度为1100℃时综合性能最佳,E33T/ε0=1290,tanδ=0.45%,d33=264 pC/N,Kp=0.59,Qm=2400.

关键词: 压电陶瓷 , 锑锰锆钛酸铅 , SiO2 , 低温烧结

Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3压电陶瓷的温度稳定性研究

陆翠敏 , 刘庆锁 , 左建波 , 孙清池

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00271

探讨了硬性添加物MnO2、软性添加物Nb2O5和两性添加物Cr2O3对锑锰锆钛酸铅Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(简称PMSZT5)压电陶瓷的相组成及温度稳定性的影响. 研究结果发现: 各掺杂组成在900℃的煅烧温度下, 都可以得到钙钛矿结构. 随着各掺杂离子的增大, 四方相含量减少, 准同型相界向三方相移动. 综合考虑离子掺杂对PMSZT5压电陶瓷的机电性能及温度稳定性的研究结果表明: 锰过量较其它铌和铬掺杂的温度稳定性更好, 机电性能最佳的PMSZT5+0.1wt% MnO2的组成, ε33T/ε0=1560, d33=350pC/N, Kp=0.63, -25~80℃的frK31d31平均温度系数分别为72×10-6/℃、-0.027%/℃和0.100%/℃.

关键词: PMSZT压电陶瓷 , doping , crystallographic phase , temperature stability

烧结温度对PMN-PNN-PZT四元系压电陶瓷微观结构和压电性能的影响

刘培祥 , 孙清池 , 何杰 , 李红元

稀有金属材料与工程

选取PMN-PNN-PZT四元系压电陶瓷准同型相界附近配方,采用传统的氧化物混合合成工艺制备压电陶瓷材料.研究了不同烧结温度对该四元系压电陶瓷微观结构和压电性能的影响,研究结果表明:在1180℃烧结时,晶粒生长很好,晶界处结合致密,压电性能也最好:d33=475pC/N,ε33T/ε0=3203, Qm=82,Kp=0.59,tanδ=1.8%.

关键词: 压电陶瓷 , 四元系 , 准同型相界 , 微观结构

熔盐法合成Na0.5K0.5NbO3粉体

范亚红 , 孙清池 , 王裕斌 , 潘铁政 , 陆翠敏

功能材料

采用熔盐法在K2CO3和Na2CO3的熔盐(K2CO3/Na2CO3=45/55)中800℃并保温2h的条件下制备出了单相、纯钙态矿型结构的Na0.5K0.5NbO3粉体,运用XRD以及SEM技术对所得粉体进行了相组成及显微结构分析.结果表明:随着盐含量的增加,晶体结构从正交相转变为四方相,晶粒大小先增加而后稍微减小,并且获得较好的介电压电性:εT33/ε0(1kHz)=45~264,tgδ=1.5%~2.6%,Tc=402℃,TT-o=202℃,d33=88~98pC/N,Qm=465~574,Kp=29.09%~30.47%,在10kHz频率下,介电损耗有一点改变.NKN将有可能成为用于高频下的无铅压电陶瓷之一.

关键词: 无铅压电陶瓷 , 熔盐法 , XRD , 介电压电性

铬掺杂PMS-PZT压电材料的研究

孙清池 , 陆翠敏 , 徐明霞 , 朱宏亮

稀有金属材料与工程

采用固相法制备铬掺杂PMSZT压电陶瓷,研究了在不同烧结温度下铬掺杂Pb1.04(Mn1/3Sb2/3)0 05ZrxTi0.95-xO3+z%(质量分数)Cr2O3陶瓷的介电和压电性能,分析讨论了Cr2O3掺杂量以及烧结温度与相组成,显微结构和电性能的关系.结果表明,Cr2O3掺杂0.6%(质量分数),烧结温度1260℃时,PMSZT压电陶瓷的居里温度最低且电性能优良,ε33T/ε0=1650,tan δ=0.006,d33=328pC/N,Kp=0.63,Qm=2300.

关键词: PMSZT压电陶瓷 , 相组成 , 显微结构 , 电性能

  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 下一页
  • 末页
  • 共4页
  • 跳转 Go

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词