丁士育
,
宋秀华
,
张劲松
,
韩冰
,
刘莉
,
刘睿
,
陈姗姗
,
孙海波
,
孙建峰
,
韩征和
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2008.04.008
本文利用Bi-2223/Ag高温超导带材与抗拉强度σb为700MPa的铜带进行组合,带材宽度面间采用低熔点的Sn-Ag-Cu无铅焊料进行连接,制备了C-SC-C型、SC-C-SC型(C代表铜带,SC代表高温超导带)等四种层状复合结构.研究和考察了四种结构样品在室温下的拉伸性能和弯曲性能,以及电性能等.测试结果表明:与高温超导带材相比,复合后结构的拉伸性能得到了提高;复合结构中采用两根高温超导带材后,提高了传输电流的能力.研究结果为Bi-2223/Ag高温超导带材的实际应用以及新应用结构的设计提供了参考数据和实验依据.
关键词:
Bi-2223
,
高温超导带材
,
机械性能
,
临界电流
张涵
,
孙志强
,
庞烜
,
周林尧
,
李帅
,
孙海波
,
陈文启
,
陈学思
应用化学
doi:10.11944/j.issn.1000-0518.2016.09.150429
通过开环共聚合，合成了3种不同单元比例的ε-己内酯（ε-CL）与L-丙交酯（L-LA）的共聚物P（CL-co-LA）。通过熔融共混制备了聚乳酸（PLA）/聚己内酯（PCL）/P（CL-co-LA）三元共混材料，研究了P（CL-co-LA）对共混材料微观形貌、热性能以及力学性能的影响。结果表明，共聚物P（CL-co-LA）作为PLA/PCL不相容体系的界面增容剂，减小了PCL分散相的尺寸，改善了PLA/PCL共混体系的相容性，提高了共混材料的韧性。固定m（PLA）：m（PCL）：m（P（CL-co-LA））=80：20：10时，以P（CL49/LA51）（其中数字代表摩尔分数（%））作为界面增容剂效果最佳，共混材料的断裂伸长率可达到（210±30）%。
关键词:
聚乳酸
,
聚己内酯
,
共混
,
增韧
,
相容性
张涵
,
孙志强
,
庞烜
,
周林尧
,
李帅
,
孙海波
,
陈文启
,
陈学思
应用化学
doi:10.11944/j.issn.1000-0518.2016.09.150429
通过开环共聚合,合成了3种不同单元比例的ε-己内酯(ε-CL)与￡-丙交酯(L-LA)的共聚物P(CL-co-LA).通过熔融共混制备了聚乳酸(PLA)/聚己内酯(PCL)/P(CL-co-LA)三元共混材料,研究了P(CL-co-LA)对共混材料微观形貌、热性能以及力学性能的影响.结果表明,共聚物P(CL-co-LA)作为PLA/PCL不相容体系的界面增容剂,减小了PCL分散相的尺寸,改善了PLA/PCL共混体系的相容性,提高了共混材料的韧性.固定m(PLA)∶m(PCL)∶m(P(CL-co-LA))=80∶20∶10时,以P(CL49/LA51)(其中数字代表摩尔分数(％))作为界面增容剂效果最佳,共混材料的断裂伸长率可达到(210±30)％.
关键词:
聚乳酸
,
聚己内酯
,
共混
,
增韧
,
相容性
薛成山
,
郭永福
,
石锋
,
庄惠照
,
刘文军
,
曹玉萍
,
孙海波
功能材料
利用金属元素钯作催化剂,采用磁控溅射后氨化法,成功的在Sapphire衬底上制备出GaN纳米线.X射线衍射和X射线光电子能谱研究显示合成的纳米线具有六方纤锌矿GaN结构.通过扫描电子显微镜,透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得出GaN纳米线为单晶结构,其纳米线的直径约为10～60nm,长度达几十个微米.室温下以325nm波长的光激发样品表面,发现GaN带边发光峰有较弱的蓝移.最后简单讨论了GaN纳米线的生长机制.
关键词:
纳米线
,
GaN
,
磁控溅射
,
单晶
,
钯催化
裴素华
,
张晓华
,
孙海波
,
于连英
稀有金属材料与工程
为给出受主杂质Ga通过SiO2/Si系统实现开管掺杂过程的模型描述和Si体内遵循的主要分布规律,利用二次离子质谱分析(SIMS)、薄层电阻(R□)测量方法,对Ga在SiO2/Si系下的扩散特性、硅表面及体内分布进行了系统研究,得出新的结论:(1)Ga在SiO2中的固溶度较低而扩散系数很大,故形成线性分布形式,Ga在Si中的溶解度相比SiO2很大,SiO2-Si界面的分凝使其以较高平衡浓度分配入硅中,两者的连续确立了开管扩Ga模型.(2)在严格控制硅片温度TSi、杂质源分解温度TGa2O3、反应气体流量CH2,调整预沉积、再分布及其两者的重复组合,便可在硅内得到任意理想的杂质分布;(3)Ga原子是通过理想表面(SiO2-Si界面)扩散入体内,避免与外界的接触沾污,获得了高均匀性、高重复性的扩散表面及非常平行的平面结.
关键词:
开管扩Ga模型
,
分布规律
,
分凝效应
,
SiO2-Si界面
孙海波
,
石锋
,
曹玉萍
,
薛成山
,
修显武
功能材料
在Au点阵模板上磁控溅射ZnO薄膜,然后在O_2气氛下1000℃退火制备了ZnO单晶堆垒纳米棒.采用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)和傅立叶变换红外(FTIR)光谱对样品进行分析.结果表明,ZnO纳米棒是由诸多单晶堆垒而成,每个单晶均为六方纤锌矿结构,纳米棒直径在100nm左右.初步探讨了ZnO单晶堆垒纳米棒可能的生长机理.
关键词:
氧化锌
,
单晶堆垒
,
纳米棒
裴素华
,
孙海波
,
王强
,
孙振翠
,
石礼伟
无机材料学报
TiO2是响应三甲胺(TMA)气体最佳的金属氧化物半导体材料,为保持TiO2基TMA旁热式气敏器件具有较高灵敏度和较低空气阻值(Ra),相应降低器件加热功率RH,本文通过N2气氛高温退火、高价Nb5+掺杂和长时间烧结等方法,提高TiO2基敏感材料电导率获得成功。实验与理论证明:降低氧分压可增强TiO2自身半导化程度;掺入10％左右Nb2O5,Nb5+替代Ti4+形成固溶体,可使TiO2得到最佳半导化效果;采用长时间的烧结处理,促使Ti3+转化为Ti4+,进一步提高材料电导率和器件稳定性,从而为制造低阻、高灵敏度、高选择性动物食品测鲜传感器开辟了一条新途径。
关键词:
TiO2
,
annealing in N2
,
doping with Nb5+
,
long-time sintering
裴素华
,
修显武
,
孙海波
,
黄萍
,
于连英
稀有金属材料与工程
为进一步揭示Ga在SiO2/Si系统下的完整扩散特性和分布行为,利用扩展电阻(SRP)分析方法,对恒定源、限定源,二次氧化(指磷扩散的再分布过程)不同温度和气氛,Ga在近硅表面微区域浓度连续性变化状态进行了系统研究.结果表明,恒定源掺杂过程有Ga的低浓度区形成;限定源再分布过程Ga出现反扩散特性;二次氧化过程Ga产生异常分凝特性.上述分布行为的综合效果,导致近硅表面Ga的浓度处于耗尽状态.对Ga的表面耗尽,可通过适当的工艺方法给予补偿,因此Ga基区晶体管的电学性能仍然优于同类产品.
关键词:
Ga
,
近硅表面
,
浓度分布
倪守高
,
王玲
,
薛建军
,
孙海波
,
雷斌
,
金丹萍
材料科学与工程学报
采用阳极氧化法在纯钛箔表面制备TiO2纳米管,再用直流电沉积法在纳米管内沉积Pt,制备出载Pt-TiO2纳米管电极.并采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)对其进行表征.研究载Pt-TiO2纳米管阵列与TiO2纳米管阵列对有机磷农药敌敌畏(DDVP)的光电催化降解效果,并与光催化、电降解做了简单对比.结果表明:所制Pt-TiO2纳米管存在锐钛矿晶型TiO2,其饱合光电流比TiO2纳米管大.与单独光催化、电降解相比,载Pt-TiO2纳米管电极光电催化降解效果更显著.
关键词:
阳极氧化
,
载Pt-TiO2纳米管电极
,
光电催化
,
敌敌畏(DDVP)
曹文田
,
孙振翠
,
魏芹芹
,
薛成山
,
孙海波
稀有金属材料与工程
采用热壁化学气相沉积工艺在Si(111)衬底上生长GaN晶体膜,并对其生长条件进行研究.用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱(PL)对样品进行结构、形貌和发光特性的分析.测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN晶体膜.实验结果显示:采用该工艺制备GaN晶体膜时,选择H2作反应气体兼载体,对GaN膜的形成起着非常有利的作用.
关键词:
热壁化学气相沉积
,
GaN晶体膜
,
载体H2
