曾祥斌
,
孙小卫
,
李俊峰
,
齐国钧
功能材料
采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜,拉曼光谱分析表明侧向扩散区域结晶效果最好,X射线衍射分析表明加电场于两电极之间有促进晶化的作用,可以得到结晶良好的多晶硅薄膜.采用该工艺制备了p沟道薄膜晶体管器件,其迁移率为65cm2/V·s,开关态电流比为5×106.
关键词:
电场增强晶化
,
多晶硅薄膜
,
金属诱导晶化
,
薄膜晶体管
曾祥斌
,
孙小卫
,
李俊峰
,
齐国钧
功能材料
采用实时电阻测量方法实现了金属镍诱导晶化制备多晶硅薄膜的实时监控,实验中使用了两种样品,一种采用电场增强侧向晶化;另一种采用金属诱导侧向晶化.结果表明薄膜电阻值在高温下随晶化时间呈指数衰减,且具有很强的温度依赖关系.采用晶粒边界势垒模型解释了阻值衰减行为,分析计算了两种样品的阻值衰减规律.电场增强方式的时间常数比非电场增强方式小,表明加电场有促进晶化的作用.实时电阻测量方法可以用于金属诱导晶化动力学的研究,是一种简单实用的实时监控手段.
关键词:
多晶硅薄膜
,
金属诱导晶化
,
实时电阻测量
,
薄膜晶体管
徐冰
,
赵俊亮
,
张检明
,
孙小卫
,
诸葛福伟
,
李效民
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11499
采用低成本的化学溶液法在大功率GaN基蓝光LED芯片上生长ZnO纳米阵列, 以提高LED芯片的出光效率. 通过改变生长溶液中氨水及锌离子浓度实现对纳米阵列结构形貌的可控性, 进而得到不同形貌的ZnO纳米阵列. 在此基础上, 进一步研究纳米结构形貌对LED芯片出光性能的影响, 探讨纳米结构增强LED芯片发光效率的机理. 结果表明, 较高密度、锥形形貌的ZnO纳米阵列更有利于增强LED芯片的出光效率. 在优化的实验条件下, 表面沉积ZnO纳米阵列的LED芯片比普通LED的出光效率高出60%以上, 并且纳米阵列不影响LED器件的电学性能和发光稳定性.
关键词:
ZnO纳米阵列; 大功率LED芯片; 出光效率; 化学溶液法
徐冰
,
赵俊亮
,
张检明
,
孙小卫
,
诸葛福伟
,
李效民
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11499
采用低成本的化学溶液法在大功率GaN基蓝光LED芯片上生长ZnO纳米阵列,以提高LED芯片的出光效率.通过改变生长溶液中氨水及锌离子浓度实现对纳米阵列结构形貌的可控性,进而得到不同形貌的ZnO纳米阵列.在此基础上,进一步研究纳米结构形貌对LED芯片出光性能的影响,探讨纳米结构增强LED芯片发光效率的机理.结果表明,较高密度、锥形形貌的ZnO纳米阵列更有利于增强LED芯片的出光效率.在优化的实验条件下,表面沉积ZnO纳米阵列的LED芯片比普通LED的出光效率高出60％以上,并且纳米阵列不影响LED器件的电学性能和发光稳定性.
关键词:
ZnO纳米阵列
,
大功率LED芯片
,
出光效率
,
化学溶液法
