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热蒸镀-原位反应法制备的Mo-Si-X-C(X=Al,Ti)复相陶瓷涂层的微观结构和力学性能

徐永龙 , 郝安林 , 孙威 , 熊翔 , 彭铮 , 陈耘田 , 陈招科 , 王雅雷

中国有色金属学报

采用热蒸镀-原位反应法制备Mo-Si-X-C(X=Al,Ti)碳基陶瓷涂层.利用X射线仪、扫描电子显微镜和纳米压痕测试仪对涂层的微观结构和力学性能进行表征,研究成分及热蒸镀工艺参数对涂层的物相组成、微观结构和力学性能的影响,并揭示涂层的形成机制.结果表明:不同组分蒸镀母料在1550℃、Ar气氛条件下,由于不同蒸气压诱发各异的扩散路径,从而使原位反应生成Mo-Si-X-C(X=Al,Ti)复相陶瓷涂层的形貌、相成分及分布明显不同.添加Ti和Al元素有利于分别生成(Ti0.8Mo0.2) Si2相和Mo(Si,Al)2相,促进热蒸镀过程;随着温度的升高,基体表面Si黏性减弱,同时流动性增强,涂层中钼硅化物消失;1800℃真空环境下涂层中的SiC晶粒异常长大,破坏涂层结构,导致涂层失效.力学性能表明:同时添加Al、Ti元素,形成复杂多相界面结构的23Mo-63Si-7Ti-7Al陶瓷涂层的力学性能最优,其抗压强度达到19.584GPa,显微硬度达到1848HV及弹性模量达到255.124 GPa.

关键词: 热蒸镀法 , 原位反应法 , SiC , (Ti0.8Mo0.2)Si2 , 涂层 , 碳基材料

Al-Si-C改性C/C复合材料的微结构特征与烧蚀行为

常亚彬 , 孙威 , 熊翔 , 彭铮 , 陈招科 , 王雅雷 , 徐永龙

新型炭材料

为了提高C/C复合材料的抗烧蚀性能,采用反应熔渗法制备Al-Si-C改性C/C复合材料,利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、能谱和电子探针分析等手段分析熔剂成分、熔渗温度和气氛等参数对复合材料微观结构的影响。利用氧-乙炔焰烧蚀仪研究Al-Si-C改性C/C复合材料的烧蚀性能、烧蚀行为及机理。结果表明,随着工艺参数不同,反应熔渗法可制备出三类典型的Al-Si-C改性C/C复合材料。在1500℃,氩气气氛中反应熔渗2 h形成了Al+SiC均质改性C/C复合材料;随着熔渗温度的升高(1600℃)和熔渗时间的延长(6 h),形成了Al4SiC4+SiC改性C/C复合材料;在1600℃,真空气氛中反应熔渗6 h形成了SiC+Al梯度改性C/C复合材料( Al含量由内到外递减)。三类Al-Si-C改性C/C复合材料显示不同的烧蚀行为,其中,SiC+Al梯度改性C/C复合材料具有最优的抗烧蚀性能,在2500℃下烧蚀60 s后,样品表面无明显的烧蚀坑,质量烧蚀率分别为-1.0×10-3 g/s和-1.2×10-3g/s。

关键词: C/C复合材料 , 基体改性 , 反应熔渗 , Al-Si-C体系 , 烧蚀

放电等离子烧结MoSi2陶瓷的微观结构与力学性能

李恒 , 郝安林 , 王雅雷 , 熊翔 , 陈招科 , 孙威 , 韩欣欣

中国有色金属学报

以微米级MoSi2粉末为原料,利用放电等离子烧结技术制备致密度达99%的MoSi2陶瓷材料.研究烧结温度对MoSi2陶瓷的致密化、微观结构和力学性能的影响.结果表明:SPS烧结技术制备的MoSi2陶瓷由MoSi2、少量的Mo5Si3和SiO2组成;随着烧结温度的升高,材料的致密化效果明显加强;当烧结温度为1600℃时,材料的综合性能最优,相对密度和抗弯强度达到98.9%和417 MPa.但当烧结温度达到1800℃时,致密度基本保持不变,MoSi2晶粒长大明显,材料抗弯强度降低.

关键词: MoSi2 , 放电等离子烧结 , 微观结构 , 力学性能

合金元素对铸态镁合金中长周期堆垛结构的形成与特征的影响

付建强 , 孙威 , 谢中柱 , 刘林林 , 张泽

金属学报

感应熔炼法制备了Mg97Y2M1(M=Zn, Ni, Ag)合金, 运用TEM和SEM对铸态合金中的长周期堆垛结构(LPS)进行了分析. 结果表明, 铸态Mg97Y2 Zn 1中的LPS主要为6层周期堆垛, 但不同于理想的6H型堆垛结构; 在Mg97Y2Ni1中也存在LPS结构,与Mg97Y2Zn1相比, Mg97Y2Ni1中LPS具有较大的晶格畸变; Mg97Y2Ag1中未观察到LPS. 结合实验结果, 对影响LPS形成的因素进行了讨论.

关键词: 镁合金 , null , null

Zr65Cu12.5Ni10Al7.5Ag5玻璃合金初期晶化结构的电子显微分析

武慧敏 , 孙威 , 张泽 , 刘丽 , 张涛

稀有金属材料与工程

采用等温差示扫描量热分析(DSC)和透射电镜(TEM)观察相结合的方法,研究了Zr65CU12.5Ni10AI7.5Ag5非晶合金玻璃转变和晶化过程.利用DSC对合金晶化过程实时监控,在加热到不同温度随炉冷却退火后对样品进行TEM分析,观察其不同阶段的微观结构变化,揭示其晶化特征.结果发现:Zr65Cu12.5Ni10Al7.5Ag5急冷合金晶化过程分为3段.初期晶化相为二十面体准晶I相,在I相与非晶基体之间没有明显的成分差异,准晶相相比于非晶基底略富Zr贫Cu;初期二十面体准晶相形核密度高生长迅速,通过消耗非晶相紧密堆积生长:晶化第1阶段结束后仍有残余非晶相存在.

关键词: zr镕基玻璃合金 , 晶化 , 热分析 , 电子显微结构

固态输送ZrCl4低压化学气相沉积制备ZrC涂层的特征

刘岗 , 李国栋 , 熊翔 , 王雅雷 , 陈招科 , 孙威

中国有色金属学报

采用ZrCl4-CH4-H2-Ar反应体系、固态输送ZrCl4粉末低压化学气相沉积(CVD)制备ZrC涂层.研究温度对低压化学气相沉积ZrC涂层物相组成、晶体择优生长、涂层表面形貌、断面结构、涂层生长速度和沉积均匀性等方面的影响.结果表明:不同温度下沉积的涂层主要由ZrC和C相组成;随着温度的升高,ZrC晶粒(200)晶面择优生长增强,颗粒直径增大,表面致密性增加,沉积速率上升;涂层断面结构以柱状晶为主;随着离进料口距离的增加,涂层的沉积速率逐渐减小;1500℃时,沉积系统的均匀性比1450℃时的差.

关键词: ZrC涂层 , 温度 , 低压 , 化学气相沉积

高剩磁钐钴合金等温退火过程的组织演化和磁性能的关联

孙威 , 朱明刚 , 方以坤 , 郭朝晖 , 陈红升 , 李卫

稀有金属 doi:10.13373/j.cnki.cjrm.2014.06.013

研究了在800℃等温退火不同时间的名义成分为Sm(CobalFe0.245Cu0.07Zr0.02)7.8(%,原子分数)的永磁体的磁性能和微观结构.研究显示,在剩磁Br(~1.15 T)基本小发生改变的情况下,磁体的内禀矫顽力Hcj随着等温退火时间从10~40 h的增加呈现逐渐增加的趋势.但是,其最大磁能积(BH)max却显示了先增后减的变化规律,这是因为磁体的方形度Hk/Hcj呈现了先增后减的变化.TEM分析显示等温退火时间为10和20 h的磁体的内部微结构有如下区别:10h的磁体内部有微小(<1 nm)的沉淀相析出;较10 h的磁体的胞状结构而言,20 h的磁体的胞状结构清晰且完整;相较10 h的磁体,20 h的磁体的胞内2∶17R主相和胞壁1∶5H相之间的对比度小,这就表明两相之间的错配度小,而错配度与钉扎作用呈相反的变化趋势.在上述观察到的3个区别之中,20 h的样品中的2∶17相对较纯净且不像10 h处理的磁体那样出现微小的沉淀相,这应该是性能较优异的主要原因.

关键词: 等温退火时间 , 永磁体 , 内禀矫顽力

退火过程对高温Sm2Co17磁体性能的影响

夏满龙 , 孙威 , 方以坤 , 潘伟 , 朱明刚 , 李卫

金属功能材料

对Sm (Coba1Fe0.07Cu0.088Zr0.025)7.6烧结磁体在不同回火工艺下的室温和高温磁学性质进行了系统研究.结果表明,不同的等温时效温度回火时,磁体剩余磁通密度Br和最大磁能积(BH)max的在室温下不会有太大变化.然而,在高温(500℃)情形下却有很大区别,在790~810℃,获得了最高的(BH)max和矫顽力.所以回火工艺对磁体的高温性能产生了很大影响.通过调整回火工艺,所得到的样品在500℃性能可以达到Hci=5.48 kOe,(BH)max =12.45 MGOe.

关键词: 高温 , Sm2Co17 , 回火 , 矫顽力

压电复合材料的研究进展

卢斌 , 孙威

材料导报

压电复合材料(PCM)作为一种新型机敏材料,在声学、医疗、控制和航空航天等领域具有广阔的应用前景.以连通性分类法为基础,综述了0-3、1-3、2-2、3-3型压电复合材料的理论模型、制备工艺、影响因素及国内外研究现状.

关键词: 压电复合材料 , 理论模型 , 制备工艺

CdGd2(WO4)4单晶的结构与磁性研究

侯碧辉 , 孙桂芳 , 刘国庆 , 孙威 , 王吉有

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.026

采用提拉法生长尺寸为φ12mm×50mm的钨酸钆镉单晶,名义组分为CdGd2(WO4)4,研究表明该晶体具有白钨矿结构,属于四方晶系,晶格常数为a=b=0.5203nm,c=1.1359nm.样品的磁性测量质量比磁化强度与温度σ-T曲线,以及室温下磁化曲线σ-H,都表明晶体具有朗之万顺磁性,但又具有磁各向异性,室温下的x//=3.5018×10-3,χ⊥=3.4403×10-2;电子自旋共振实验也显示出各向异性的特征.a-b平面的两个最近邻Gd3+离子间电子自旋耦合作用较强,沿晶体c轴方向Gd3+离子间电子自旋耦合作用较弱,晶体的磁各向异性体现了晶体的结构特征.

关键词: CdGd2(WO4)4单晶 , 顺磁各向异性 , 朗之万顺磁性

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