孙华军
,
侯立松
,
吴谊群
,
魏劲松
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.01111
研究了激光辐照引起Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化, 当激光功率为580mW时薄膜的方块电阻有四个数量级(107～103Ω/□)的突变; 对电阻发生突变前、中、后的三个样品进行了XRD测试, 结果表明, 随着激光功率的增大,薄膜由非晶态向晶态转变,用椭偏仪测试了结构转变前、中、后三个样品的光学常数, 在可见光范围内薄膜的光学常数在波长相同情况下有: n非晶态>n中间态>n晶态, k晶态>k中间态>k非晶态, α晶态>α中间态>α非晶态, 结合电阻变化曲线和XRD图谱讨论了激光辐照Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化同激光功率和结构转变之间的关系.
关键词:
Ge2Sb2Te5薄膜
,
laser-irradiation
,
electrical/optical properties
,
optical constants
,
phase change
孙华军
,
侯立松
,
缪向水
,
吴谊群
稀有金属材料与工程
在衬底加热条件下利用磁控溅射法制备Ge_2Sb_2Te_5薄膜,利用X射线衍射仪表征各种沉积温度下薄膜的结构,差示扫描量热法(DSC)确定的薄膜晶化温度为168℃(加热升温速率为5℃/min).用四探针法测试薄膜的方块电阻,分光光度计测试薄膜的反射率谱,并根据反射率数据讨论在波长为405和650 nm时薄膜的反射率对比度同沉积温度关系.结果表明:室温沉积的薄膜为非晶态:在衬底温度为140℃条件下薄膜已完全转变为晶态Ge_2Sb_2Te_5,在300℃时出现少量的六方相:低于140℃时易形成非Ge_2Sb_2Te_5组分的其它晶相,它们对薄膜的电/光性质有很大的影响,可能是导致此类相变光存储薄膜使用过程中反射率对比度下降的原因.
关键词:
Ge_2Sb_2Te_5薄膜
,
沉积温度
,
结构
,
电/光性质
孙华军
,
侯立松
,
吴谊群
,
魏劲松
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.06.005
研究了激光辐照引起Ge2Sb2Tes非晶态薄膜的电/光性质变化,当激光功率为580mW时薄膜的方块电阻有四个数量级(107～103Ω/口)的突变;对电阻发生突变前、中、后的三个样品进行了XRD测试,结果表明,随着激光功率的增大,薄膜由非晶态向晶态转变,用椭偏仪测试了结构转变前、中、后三个样品的光学常数,在可见光范围内薄膜的光学常数在波长相同情况下有: n非晶态＞n中间态,k晶态＞k中间态＞k非晶态,α晶态＞α中间态＞α非晶态,结合电阻变化曲线和XRD图谱讨论了激光辐照Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化同激光功率和结构转变之间的关系.
关键词:
Ge2Sb2Te5薄膜
,
激光辐照
,
电/光性质
,
光学常数
,
相转变
