薛成山
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艾玉杰
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孙莉莉
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孙传伟
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庄惠照
,
王福学
,
杨兆柱
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秦丽霞
,
陈金华
,
李红
稀有金属材料与工程
Mg粉在800℃氨气流中氨化60 min,可得到高质量的Mg3N2粉末.XRD分析表明,Mg3N2粉末是体心立方结构,晶格常数a=0.996 57 nm.SEM分析表明,Mg3N2粉末有多种形貌.PL测试表明,在激发波长为490 nm的情况下,氮化镁粉末存在1个位于545 nm的绿光发光峰.
关键词:
氮化
,
Mg3N2粉末
,
光致发光
艾玉杰
,
薛成山
,
孙莉莉
,
孙传伟
,
庄惠照
,
王福学
,
杨昭柱
,
秦丽霞
功能材料
采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Mg薄膜,然后在1000℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜.X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米棒.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米棒的形貌,纳米棒的直径在200～600nm之间.我们对镁层的作用进行了简单探讨.
关键词:
GaN
,
磁控溅射
,
纳米棒
孙莉莉
,
薛成山
,
艾玉杰
,
孙传伟
,
庄惠照
,
张晓凯
,
王福学
,
陈金华
,
李红
功能材料
采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Ti薄膜,然后在950℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜.X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米线的形貌,纳米棒的尺寸在50～150nm之间.
关键词:
磁控溅射
,
氨化
,
GaN薄膜
,
Ti
