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纳米TiO2光触媒薄膜的制备及改性研究进展

潘国峰 , 何平 , 张广喜 , 孙以材 , 高金雍

材料导报

根据近年来光催化技术的研究成果,从3个方面综述了纳米TiO2薄膜光触媒薄膜的研究进展:制备工艺、影响TiO2薄膜光催化活性的因素和改善其光催化效率的方法.最后,对目前TiO2光触媒研究中存在的主要问题和发展前景进行了简要评述和展望.

关键词: TiO2薄膜 , 光催化反应 , 光触媒

退火温度对纳米TiO2薄膜的乙醇气敏特性的影响

潘国峰 , 何平 , 孙以材 , 高金雍

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.06.039

采用直流磁控反应溅射法分别在Al2O3陶瓷管和Si(111)基片上制备纳米TiO2薄膜.首先将样品置于马孚炉中,分别在500℃、700℃和1100℃下进行3小时退火处理,然后利用XRD测定各退火条件下TiO2薄膜的晶粒尺寸和晶型,并对样品的气体敏感特性进行测试.实验结果表明:薄膜的结构、晶粒尺寸、晶相和气敏特性随着退火温度的不同而变化,经过500℃×3小时退火后的TiO2薄膜(锐钛矿相)对乙醇蒸汽的灵敏度最高,响应(恢复)时间为2-3s,并具有很好的选择性,其最佳工作温度为280℃左右.最后讨论了薄膜的乙醇气敏机理.

关键词: TiO2薄膜 , 退火温度 , 乙醇气敏特性 , 灵敏度

一种改进的硅片薄层电阻及其均匀性表征方法

刘新福 , 刘东升 , 孙以材

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.042

概述了微区电阻测试方法及其均匀性表征方法的应用,利用自主研制的斜置式方形四探针微区薄层电阻测试仪,对P型硅芯片进行了无图形Rymaszewski法测试,在3寸芯片上测试了598个366 μm×366 μm 方形微区的薄层电阻,并用等值线图表示了其分布,得到了薄层电阻的不均匀度及平均值,这种微区薄层电阻表示方法适用于评价材料质量及改进制造工艺.

关键词: Rymaszewski法 , 等值线图 , 薄层电阻

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