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GaN材料的横向外延过生长(LEO)及其特性研究

魏茂林 , 齐鸣 , 孙一军 , 李爱珍

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.01.007

对用LEO技术生长GaN材料的选择生长和横向生长速率进行了实验研究.结果表明,作为LEO生长基板的GaN层的表面质量是实现选择生长的关键,而图形方向对横向生长速率与纵向生长速率之比(L/V)也有重要的影响.通过选择合适的工艺条件,实现了GaN材料的LEO外延生长,所得样品的X射线衍射峰宽比用常规MOCVD法生长的样品减小了1/3.

关键词: GaN , MOCVD , 横向过生长 , 外延

MOCVD方法在TiO2纳米粉末制备中的应用

孙一军 , 夏冠群

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.1999.04.002

众所周知,MOCVD方法是制备薄膜材料的重要方法之一,现已广泛应用于半导体薄膜、铁电薄膜和超导薄膜等的制备.在以前的工作中,我们设计、加工、安装、调试、建立了一套可计算机自动控制的热壁低压MOCVD设备,制备出了TiO2纳米粉末,得到了一些初步结果.本文详细研究了热壁低压MOCVD方法在TiO2纳米粉末制备中的应用,通过合理设计反应室和收集区域,在采用反应区域和收集区域之间无任何过渡区域的收集方式,制备出了TiO2纳米粉末.采用X射线衍射技术研究了沉积温度对TiO2纳米粉末的晶体结构和平均晶粒尺寸的影响规律.在500℃~1000℃范围内,粉末均为锐钛矿结构,平均晶粒尺寸7.4~15.2nm,700℃条件下制备的TiO2纳米粉末的平均晶粒尺寸最小.透射电子显微镜观察表明,在最佳沉积温度700℃条件下制备的TiO2粉末粒度均匀性好,粒径约为5~8nm.

关键词: 金属有机物化学气相沉积 , 二氧化钛 , 纳米 粉末

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