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不同退火温度下金属/4H-SiC Schottky势垒高度的研究

杨克勤 , 陈厦平 , 杨伟锋 , 孔令民 , 蔡加法 , 林雪娇 , 吴正云

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.02.024

采用磁控溅射的方法在4H-SiC样品上分别沉积四种金属薄膜(Ag,Cu,Ni,Cr)形成Schottky接触,研究了不同温度退火对Schottky势垒高度的影响.通过对样品的I-V测试结果的拟合,得到各金属/4H-SiC Schottky接触的势垒高度以及理想因子.在反向偏压100V下,样品的反向漏电流小于10-10A,说明样品的反向特性良好.样品经过不同温度的退火后,发现Cu、Ni与4H-SiC的势垒高度(SBH)随退火温度的升高而提高,超过某一温度,其整流特性变差;Ag、Cr的SBH在退火后降低.SBH与金属功函数呈线性关系(Cr金属除外),斜率为0.11.

关键词: 光电子学 , 4H-SiC , Schottky势垒高度 , 退火

不同In组分及阱宽的InGaAs/GaAs应变量子阱的表面光伏谱

孔令民 , 蔡加法 , 李明 , 吴正云 , 沈文忠

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2002.02.004

本文采用表面光伏谱方法,对不同组分及阱宽的InGaAs/GaAs应变量子阱进行了变温表面光伏谱测量.利用形变势模型理论计算,对样品的表面光伏谱进行指认,理论与实验符合得很好.

关键词: 表面光伏谱 , 应变量子阱 , 形变势模型

自组织生长单层InAs量子点结构中浸润层与量子点发光的时间分辨谱研究

孔令民 , 蔡加法 , 陈主荣 , 吴正云 , 牛智川

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.02.017

在GaAs(100)的衬底上,采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2.5 ML的InAs层.通过原子力显微镜(AFM)观察,证实已在InAs层中形成量子点.采用光致发光谱及时间分辨谱对InAs量子点及浸润层开展研究和对比,分析了单层InAs量子点和浸润层中的载流子迁移过程,较好地解释了实验结果.

关键词: InAs量子点 , 浸润层 , 时间分辨谱

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