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原词结果 | 译词结果

ZnSe单晶薄膜生长控制和掺杂控制

王善忠 , 谢绳武 , 庞乾骏 , 郑杭 , 夏宇兴 , 姬荣斌 , 巫艳 , 杨建荣 , 于梅芳 , 杜美容 , 乔怡敏 , 郭世平 , 何力

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2000.02.007

为研制ZnSe基蓝绿色半导体激光器,必须能够对组成激光器的各单元材料实现精确控制生长,包括材料的晶体质量、掺杂浓度和生长速度等。ZnSe是制备蓝绿激光器的基础材料,本文报道利用MBE技术对ZnSe 材料进行生长控制和掺杂控制的初步研究结果。

关键词: ZnSe , MBE , 生长控制 , 掺杂控制

ZnSe:Cl, N单晶薄膜中载流子浓度的 电学法测量和光学法确认

王善忠 , 谢绳武 , 庞乾骏 , 郑杭 , 夏宇兴 , 姬荣斌 , 巫艳 , 李标 , 杨建荣 , 何力

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2000.01.017

为了证实某一研究结果的正确性，常常需要采用两种以上 相互独立的方法对同一物理量进行测量或计算。本文采用新颖的远红 外光谱技术和常用的Hall、C-V 等电学测量技术同时对MBE生长的 ZnSe:Cl,N薄膜中的载流子浓度进行评价研究， 发现电学法和光学法测 量的结果可以很好地吻合，从而确认了ZnSe宽禁带蓝绿色发光材料中 较高的掺杂水平。

关键词: ZnSe:Cl,N单晶薄膜,载流子浓度,电学法测量,光 学法测量

压力引起的CdZnTe(111)表面局部形变

胡赞东 , 赵增林 , 张朋举 , 姬荣斌

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.024

本文报道了在碲锌镉(CZT)晶片(111)Cd面上发现的等边三角形和四边形形变,并在CZT(111)面上做了压力实验.结果表明我们所发现的多边形是碲锌镉在压应力作用下产生的,不仅可以在(111)Cd面出现,也可以在(1 11)Te面出现.文中从经典的晶体范性形变理论和面心立方闪锌矿结构晶体所具有的滑移特性出发,阐明了出现在CZT(111)Cd面的多边形的形成机理,其内角必为60°或120°.并对磨抛工艺提出了改进意见.

关键词: 碲锌镉 , 范性形变 , 滑移线 , 压力

溅射功率和气压对CdTe薄膜结晶性的影响

王国宁 , 杨宇 , 孔令德 , 姬荣斌 , 张曙

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2007.04.020

用射频磁控溅射在普通玻璃衬底上制备CdTe薄膜.采用XRD对制备出的薄膜进行分析研究;并讨论了溅射气压、溅射功率对薄膜结晶性的影响.进一步研究表明:溅射气压低时溅射功率对CdTe薄膜结晶性的影响程度比溅射气压高时要大;溅射功率低时溅射气压对CdTe薄膜结晶性的影响程度比溅射功率高时要小.并对造成上述结果的机理进行了初步的理论探讨.

关键词: 磁控溅射 , CdTe薄膜 , 功率 , 气压 , 结晶性

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