姜少宁
,
万发荣
,
李顺兴
,
龙毅
,
刘平平
,
大貫惣明
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2013.02.011
研究了室温注氘纯钒在电子辐照下位错环的变化.纯钒室温注氘后分别在500,550℃通过超高压透射电子显微镜(HVEM)观察分析了在电子辐照下的微观结构变化.结果表明:500℃电子辐照时,位错环没有明显的变化；在550℃时效后形成的位错环尺寸比500℃略有增加,在550℃继续进行电子辐照,位错环在尺寸和密度上同样没有变化.与纯铁相比,纯钒中的缺陷团簇在辐照下的稳定性更高.
关键词:
纯钒
,
注氘
,
位错环
姜少宁
,
万发荣
,
龙毅
,
贺建超
,
王帅
,
大貫惣明
功能材料
有关氦与辐照缺陷的相互作用已有不少系统性的工作,但对氢与辐照缺陷的相互作用的研究不多.特别是氢的同位素氘或者氚存在于核聚变反应堆中,关于氢的同位素效应对辐照损伤的研究工作很少.采用离子加速器在室温下对纯铁注入氘离子,经500℃时效1h后,研究了电子辐照下位错环的演变过程并讨论了同位素效应对位错环偏压的影响.实验表明,随辐照剂量的增加,空位型位错环的尺寸逐渐减小直至消失.由于注氘纯铁中的位错偏压小,其空位型位错环缩小的速率比注氢纯铁中空位型位错环小,由此可以推断注氘纯铁比注氢纯铁抗辐照损伤性能好.
关键词:
氘离子注入
,
辐照损伤
,
位错环
,
偏压
姜少宁
,
万发荣
,
王晓丽
,
大貫惣明
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.03.020
低活化铁素体/马氏体钢是第四代裂变堆和未来聚变堆的候选结构材料,其主要成分为Fe-8Cr合金.为了研究其辐照行为,对Fe-Cr 二元合金辐照后产生的位错环进行了分析.在室温下对纯Fe和Fe-8Cr注入氦离子,随后在超高压透射电子显微镜中时效(773 K/1 h),并在773 K进行电子束辐照并进行原位观察.结果发现,室温注氦后两种样品中产生的缺陷在773 K聚集成间隙型位错环,这些位错环在随后的电子束辐照下不断长大.纯铁和Fe-8Cr 中的位错环在电子束辐照下的长大速率近乎相同,但Fe-8Cr中位错环的密度比纯铁高一个数量级,而其尺寸比纯铁中的小的多.分析表明,辐照过程中Fe-8Cr中Cr团簇的富集阻止了位错环的移动.
关键词:
氦离子
,
电子束
,
辐照损伤
,
位错环
,
Cr团簇
