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高介电栅介质材料HfO2掺杂后的物理电学特性

武德起 , 姚金城 , 赵红生 , 张东炎 , 常爱民 , 李锋 , 周阳

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.01.012

采用激光分子束外延法(LMBE)在P型Si(100)衬底上沉积了(HfO2)x(Al2O3)Y(NiO)1-x-y,栅介质薄膜,研究了其热稳定性以及阻挡氧扩散的能力.X射线衍射表明在HfO2中掺入Ni和Al元素明显提高了其结晶温度.原子力显微镜测试显示:在N2中退火后薄膜表面是原子级平滑连续的,没有发现针孔.900℃N2中退火后的薄膜在高分辨透射电镜下没有发现硅酸盐界面层.实验结果表明在氧化物薄膜与硅衬底之间引入Ni-Al-O置入层能够防止硅酸盐低介电界面层的生成,这有利于MOS晶体管的进一步尺度缩小.

关键词: 高介电栅介质材料 , 激光分子束外延 , 二氧化铪

热敏陶瓷材料Mn2.25-xNi0.75CoxO4微结构与电学性能研究

彭昌文 , 张惠敏 , 常爱民 , 黄霞 , 姚金城

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01037

采用氧化物固相法制备Mn2.25-xNi0.75CoxO4(0.8≤x≤1.2)系列NTC(negative temperature coefficient)热敏电阻粉体材料. 利用激光粒度分析、XRD、SEM和电性能测试等手段, 表征了煅烧材料的颗粒尺寸、陶瓷体的物相、形貌以及陶瓷材料的电学特性与Co含量的关系. 结果表明: 在1130~1230℃烧结温度范围内, 该材料体系的B值和电阻率ρ25℃随Co含量的变化范围分别为3487~4455 K和1998~203617 Ω·cm, B值和电阻率随Co含量的增加先增大后减小. 该材料系列电阻率和B值调整范围较大, 是一种具有实际应用价值的NTC热敏电阻.

关键词: NTC热敏陶瓷 , spinel , electrical property

高介电栅介质材料研究进展

武德起 , 赵红生 , 姚金城 , 张东炎 , 常爱民

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00865

传统的栅介质材料SiO2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求, 因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究, 进展迅速. 本文综述了国内外对高介电材料的研究成果, 并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介电击穿和金属栅电极等方面的最新研究进展.

关键词: 高介电栅介质 , recrystallization temperature , lowK interface layer , metal gate

高介电栅介质材料研究进展

武德起 , 赵红生 , 姚金城 , 张东炎 , 常爱民

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.05.001

传统的栅介质材料SiO2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求,因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究,进展迅速,本文综述了国内外对高介电材料的研究成果,并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介电击穿和金属栅电极等方面的最新研究进展.

关键词: 高介电栅介质 , 晶化温度 , 低介电界面层 , 金属栅电极

热敏陶瓷材料Mn2.25-xNio.75CoxO4微结构与电学性能研究

彭昌文 , 张惠敏 , 常爱民 , 黄霞 , 姚金城

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01037

采用氧化物固相法制备Mn2.25-xNi0.75CoxO4(0.8≤x≤1.2)系列NTC(negative temperature coefficient)热敏电阻粉体材料.利用激光粒度分析、XRD、SEM和电性能测试等手段,表征了煅烧材料的颗粒尺寸、陶瓷体的物相、形貌以及陶瓷材料的电学特性与Co含量的关系.结果表明:在1130~1230℃烧结温度范围内,该材料体系的B值和电阻率P25℃随Co含量的变化范围分别为3487~4455 K和1998~203617Ω·cm,B值和电阻率随Co含量的增加先增大后减小.该材料系列电阻率和B值调整范围较大,是一种具有实际应用价值的NI℃热敏电阻.

关键词: NTC热敏陶瓷 , 尖晶石 , 电性能

流变相法制备NiMn2O4热敏陶瓷材料及电学性能研究

张奇男 , 姚金城 , 陈龙 , 常爱民 , 陈惠敏

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.08.045

采用流变相法制备了NiMn2 O4负温度系数热敏电阻材料,重点研究了不同煅烧温度和烧结温度对NiMn2 O4热敏电阻材料微观形貌和电学性能的影响,并且借助XRD、SEM以及电学测试等手段对其进行了表征.研究结果表明,煅烧温度为850℃时,粉体主要由立方尖晶石相和少量的NiO相组成;当烧结温度为1150℃时,陶瓷样品具有最低的室温电阻率、最高的材料常数B值以及最低的电阻漂移率(ΔR/R),分别为2679Ω?cm、3878 K和0.75%~0.86%.而且不同烧结温度下的陶瓷样品电导激活能都在0.33 eV左右.因此,流变相法制备的NiMn2 O4陶瓷材料具有良好的热稳定性以及热敏性能,满足市场发展的需要.

关键词: 流变相 , 热敏电阻 , 电阻率 , 稳定性

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