张冠杰
,
舒永春
,
皮彪
,
邢小东
,
林耀望
,
姚江宏
,
王占国
,
许京军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.003
通过固态源的分子束外延系统生长了调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和InP/InP外延材料.在生长含磷材料之后,生长条件(真空状态)变差;我们通过采取合理的工艺方法和生长工艺条件的优化,获得了电子迁移率为1.86×105cm2/Vs(77K)调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和电子迁移率为2.09×105cm2/Vs(77K)δ-Si掺杂AlGaAs/GaAs结构材料.InP/InP材料的电子迁移率为4.57×104 cm2/Vs(77K),该数值是目前国际报道最高迁移率值和最低的电子浓度的InP外延材料.成功地实现了在一个固态源分子束外延设备交替生长高质量的调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和含磷材料.
关键词:
兼容性
,
调制掺杂GaAs
,
InP/InP外延材料
,
高电子迁移率
,
分子束外延
,
固体磷源
张冠杰
,
舒永春
,
皮彪
,
姚江宏
,
林耀望
,
舒强
,
刘如彬
,
王占国
,
许京军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.004
对分布布拉格反射镜(DBR)的原理和特征进行了分析,使用传输矩阵方法计算了不同对数GaAs/AlAs反射镜的反射率曲线.利用分子束外延(MBE)设备生长了波长为920nm和980nm的半导体多层膜DBR反射镜,分析了实验测得的反射谱与理论拟合曲线之间的差异及其产生原因,实现了材料的优化生长,获得了反射率大于99%、中心波长和带宽接近理论计算值的DBR材料.该DBR的反射谱拟合与优化生长研究可应用于VCSEL和VECSEL激光器.
关键词:
分布布拉格反射镜
,
理论计算
,
优化生长
,
高反射率
曹雪
,
舒永春
,
叶志成
,
皮彪
,
姚江宏
,
邢晓东
,
许京军
人工晶体学报
本文建立了采用分子束外延法制备InGaP/GaAs异质结构的热力学模型,其中考虑了两个重要的因素,由晶格失配引起的内在应力和InP的脱附.所得到的模型与现有实验结果匹配较好.该模型的实验结果表明在InGaP的生长过程中,生长温度,In/Ga束流比及合金组分之间的相互关系,同时也与实验数据相吻合.该模型对于其他气相沉积生长方式也具有一定的适用性.
关键词:
热力学
,
固态源分子束外延
,
InGaP
,
GaAs
,
异质结构
金运范
,
杨茹
,
王衍斌
,
刘昌龙
,
刘杰
,
侯明东
,
姚江宏
原子核物理评论
doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2000.03.003
用Raman散射和XPS技术分析了能量为几百keV到几百MeV的多种离子在C60薄膜中引起的辐照效应. 分析结果表明,在低能重离子辐照的C60薄膜中,其晶态向非晶态的转变过程是由核碰撞主导的. 在快离子(120 keV的H离子和171.2 MeV的S离子)辐照的情况下,电子能损起主导作用. 发现在H离子辐照过程中,电子能损有明显的退火效应,致使C60由晶态向非晶态转变的过程中,经历了一个石墨化的中间过程;而在S离子辐照的情况下,电子能损的破坏作用超过了退火效应,因此,在C60由晶态向非晶态转变的过程中,无石墨化的中间过程.
关键词:
辐照效应
,
C60薄膜
,
荷能离子
,
退火效应
张鹏
,
于彦龙
,
匡元江
,
姚江宏
,
曹亚安
影像科学与光化学
doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2013.04.006
采用溶胶-凝胶法制备出Si4+离子掺杂的TiO2可见光催化剂(TiO2-xSi),该催化剂的可见光催化活性高于纯TiO2和N掺杂的TiO2(TiO2-N).利用XRD、XPS、FT-IR和UV-Vis DRS等表征技术,研究了TiO2-xSi催化剂的晶体结构、能带结构和表面性质.研究发现:掺入Si4+离子在TiO2粒子表面主要形成Ti-O-Si结构,并在导带下0.2-0.6 eV区域形成表面态能级,该表面态能级的存在是催化剂产生可见光响应、实现可见光催化的根本原因.另外,讨论了Si4+离子的掺杂对金红石相和晶粒的生长抑制作用,以及催化剂的比表面积和表面羟基物种增加对可见光催化活性的影响.
关键词:
TiO2
,
Si4+离子掺杂
,
可见光响应
,
可见光催化活性
李文润
,
耿华
,
姚江宏
,
阮永丰
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.04.014
通过气相输运平衡技术,严格控制生长条件和气氛,制备了化学组分均匀、光学质量优异的近化学计量组分Er:LiNbO3晶体.通过对吸收边、喇曼谱及红外OH-吸收谱的测量,发现吸收边"蓝移";OH-吸收带显著减弱;Er:LiNbO3晶体中的E模(152cm-1)和A1模(632cm-1)的线宽也明显变窄.这些特征都证实了得到的Er:LiNbO3晶体已接近于化学计量组分,经过计算,其Li+含量达到49.7mol%.
关键词:
Er:LiNbO3晶体
,
近化学计量组分
,
气相输运平衡
,
喇曼光谱
,
OH-吸收谱
张光寅
,
姚江宏
,
颜博霞
,
陈亚辉
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.02.007
利用准相位匹配技术,通过人为地在非线性晶体上制备出非线性系数的周期结构,来满足相位匹配条件,可以提高频率转换效率与扩大非线性晶体的应用波段范围,这是近年来光学非线性研究的重要发展方向.利用铌酸锂晶体畴工程制作极化周期结构,以实现准相位匹配技术是最为突出的例子.本文详细介绍了这一技术手段以及应用发展趋势.
关键词:
非线性光学
,
畴工程
,
铌酸锂晶体
,
准相位匹配
,
周期极化
刘国梁
,
姚江宏
,
许京军
,
王占国
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.01.020
多模量子点阵列的光致荧光(PL)光谱的温度依赖性研究对于实现高效的量子点光电器件有着非常重要的意义.利用速率方程模型模拟不同密度量子点阵列中的载流子动力学过程.研究表明,高密度量子点阵列中不同尺寸量子点族的PL强度表现不同的温度依赖关系;而低密度量子点阵列不同点族PL强度均随温度衰减.高密度量子点阵列中,载流子被热激发到浸润层后,部分地被大量子点再俘获,即在量子点族间转移;低密度量子点阵列中不同量子点族间的载流子转移受到限制.不同量子点族光致荧光强度比的最大值强烈地依赖于量子点的激活能差.
关键词:
光电子学
,
光致荧光
,
速率方程
,
多模量子点阵列
,
热激发
贾国治
,
姚江宏
,
刘国梁
,
柏天国
,
刘如彬
,
邢晓东
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.01.021
通过考虑不同因素对压应变和张应变量子阱激光器阈值电流和特征温度的影响,得到了俄歇复合和非俄歇复合对阈值电流起主要作用的转变温度Tc,小于Tc时,主要是非俄歇复合;大于Tc时,主要是俄歇复合,而且张应变量子阱激光器转变温度要比压应变量子阱激光器的转变温度要高;张应变量子阱激光器与压应变量子阱激光器相比,阈值电流更低,特征温度更高.
关键词:
光电子学
,
俄歇复合
,
应变量子阱
,
阈值电流密度
,
特征温度
张春玲
,
唐蕾
,
张会平
,
姚江宏
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.02.001
利用双槽电化学腐蚀方法制备多孔硅,并用电化学掺杂方法对多孔硅进行稀土元素Er3+/Yb3+掺杂.利用扫描电镜和X射线衍射光谱分析所制备样品的结构和成分;通过对比掺杂前后以及退火前后荧光光谱的变化,分析能级变化情况和能量传递过程,认为可见光区的绿光源于SiOx(1＜x＜2)氧化层中的Si-O键,可见光区的红光和近红外区域的发光,源于Er3+和Yb3+离子之间交叉弛豫或者选择性跃迁.
关键词:
多孔硅
,
电化学
,
稀土掺杂
,
荧光光谱
,
X射线衍射
