刘石勇
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曾湘波
,
彭文博
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姚文杰
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谢小兵
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杨萍
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王超
,
王占国
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2011.08.003
采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)技术在高功率密度、高反应气压和低衬底温度下制备出不同氢稀释比RH的硅薄膜.高分辨透射电镜(High-Resolution Transmission Electron Microscopy,HRTEM)图像与拉曼谱显示在较高氢稀释比条件下生长的薄膜为纳米硅(nanocrystalline silicon,nc-Si)薄膜,纳米硅颗粒尺寸约为3～5nm.对不同氢稀释比下纳米硅薄膜光学带隙的变化趋势进行了研究.结果表明:随着氢稀释比的增加,纳米硅薄膜的光学带隙逐渐增加.提出采用双纳米硅p层结构改善非晶硅太阳能电池,发现双纳米硅p层电池效率比单纳米硅p层的电池效率提高了17%.
关键词:
纳米硅
,
氢稀释比
,
光学带隙
韦美琴
,
张光胜
,
姚文杰
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2007.04.012
采用溶胶-凝胶工艺在普通玻璃片上制备了掺铝氧化锌薄膜.通过X-射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的组织结构和形貌进行了表征,结果表明:用溶胶-凝胶法制得的掺铝氧化锌薄膜为纤锌矿型结构,呈c轴方向择优生长,表面均匀、致密.通过紫外-可见透射光谱(UV)和标准四探针法对薄膜的光电性能进行了研究.试验发现,当铝离子掺杂浓度为4%(摩尔分数)、溶胶物质的量浓度为0.6mol/L、前处理温度为300℃时,薄膜在可见光区的透过率超过80%,且具有较好的导电性,电阻率为8.0×10-4Ω·cm.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
铝离子掺杂
,
c轴择优取向
,
光电性能
,
氧化锌薄膜
