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硅基底上热解法生长CNT薄膜的强流脉冲发射特性

曾凡光 , 李昕 , 左曙 , 夏连胜 , 谌怡 , 刘星光 , 张篁 , 张锐

功能材料

采用酞菁铁高温热解方法在直径为5cm的硅基底上生长了定向CNT薄膜,并对其强流脉冲发射特性进行了表征.测试结果表明,在单脉冲条件下,当宏观场强为11.7V/μm时,发射脉冲电流的峰值约为109.4A;而在双脉冲模式下,当第一脉冲峰值宏观场强为8.6V/μm,第二脉冲峰值宏观场强为5.4V/μm时,第一脉冲和第二脉冲峰值电流分别约为117.2和720.8A.第二电流脉冲的电流峰值出现放大效应,放大倍数约为6.15倍.

关键词: 热解法 , 碳纳米管薄膜 , 强流脉冲发射 , 峰值电流密度

缓冲层对碳纳米管强流脉冲发射特性的影响

麻华丽 , 李昕 , 刘卫华 , 乔淑珍 , 张锐 , 曾凡光 , 夏连胜 ,

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.03.012

为了研究缓冲层对碳纳米管薄膜(CNTs)强流脉冲发射特性的影响,采用酞菁铁高温热解方法分别在镀镍和不镀镍硅基底上生长了碳纳米管薄膜(Ni - CNTs和Si - CNTs),镍层采用化学镀方法制备,强流脉冲发射特性采用二极结构在单脉冲下进行测试.实验发现,通过引入镍缓冲层,CNTs的强流脉冲发射能力显著增强.在峰值为~10.4 V/μm的脉冲场强下,平均开启电场强度从Si - CNTs的5.0V/μm下降到Ni - CNTs的4.3 V/μm,而峰值发射电流和电流密度从Si - CNTs的70A和3.5 A/cm2升高到Ni - CNTs的162 A和8.1 A/cm2,Ni - CNTs的峰值电流比Si - CNTs提高了1.3倍.

关键词: 强流脉冲发射 , 化学镀 , Ni缓冲层 , 碳纳米管

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